SGH5N120RUF
1000
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25℃
800
共发射极
V
CC
= 600V, V
GE
=
±
15V
I
C
=5A
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
tr
TD （上）
600
资本投资者入境计划
400
开关时间[ NS ]
10
电容[ pF的]
200
卓越中心
CRES
0
1
10
10
100
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
栅极电阻，R
G
[
]
图7.电容特性
图8.打开，在主场迎战特点
栅极电阻
1000
共发射极
V
CC
= 600V, V
GE
=
±
15V
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
1000
开关时间[ NS ]
开关损耗[
J]
tf
共发射极
V
CC
= 600V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 5A
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
EOFF
100
TD （关闭）
宙
EOFF
10
10
100
100
10
100
栅极电阻，R
G
[
]
栅极电阻，R
G
[
]
图9.关断特性对比
栅极电阻
图10.开关损耗与栅极电阻
1000
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 30
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
100
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 30
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
开关时间[ NS ]
tr
开关时间[ NS ]
tf
100
TD （关闭）
TD （上）
10
2
4
6
8
10
2
4
6
8
10
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
图11.导通特性对比
集电极电流
2002仙童半导体公司
图12.关断特性对比
集电极电流
SGH5N120RUF牧师B2
