SGH5N120RUF
IGBT的电气特性
T
符号
参数
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
CES
B
VCES
/
T
J
I
CES
I
GES
集电极 - 发射极击穿电压
分解温度系数
电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安
V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
1200
--
--
--
--
0.6
--
--
--
--
1
± 100
V
V /°C的
mA
nA
基本特征
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
G- ê阈值电压
集电极到发射极
饱和电压
I
C
= 5毫安，V
CE
= V
GE
I
C
= 5A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 8A
,
V
GE
= 15V
3.5
--
--
5.5
2.3
2.8
7.5
3.0
--
V
V
V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
--
--
--
520
45
16
--
--
--
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
T
sc
Q
g
Q
ge
Q
gc
L
e
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
短路承受时间
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
内置发射器电感
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
10
--
--
--
--
20
60
50
150
0.35
0.33
0.68
20
70
70
200
0.38
0.50
0.88
--
28
3
13
14
--
--
90
300
--
--
0.95
--
--
130
400
--
--
1.28
--
42
5
18
--
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
s
nC
nC
nC
nH
V
CC
= 600 V，I
C
= 5A,
R
G
= 30, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 25°C
V
CC
= 600 V，I
C
= 5A,
R
G
= 30, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 125°C
@
T
C
V
CC
= 600 V, V
GE
= 15V
= 100°C
V
CE
= 600 V，I
C
= 5A,
V
GE
= 15V
测量5毫米从PKG
2002仙童半导体公司
SGH5N120RUF牧师B2
