添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1329页 > MMBZ6V2ALT1 > MMBZ6V2ALT1 PDF资料 > MMBZ6V2ALT1 PDF资料2第1页
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MMBZ5V6ALT1 / D
5.6 , 6.2 15 & 20伏SOT- 23
双单片通用
齐纳二极管的阳极
瞬态电压抑制器
对于ESD保护
这些双单片硅齐纳二极管被设计用于的应用
需要瞬态过电压保护功能。它们被设计用于
在电压和ESD敏感设备,如计算机,打印机,业务
机,通信系统,医疗设备和其他应用程序。
他们的双结共阳极保护设计使用两个单独的行
只有一个包。这些器件非常适合的情况下电路板空间
溢价。
规格特点:
SOT- 23封装允许使用两个独立的单向
配置或单双向配置
峰值功率 - 24或40瓦@ 1.0毫秒(单向) ,
按照图5波形
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5.0
A
ESD额定值N类(超过16千伏)按照人体模型
机械特性:
无空隙,传递模塑,热固性塑料外壳
完成耐腐蚀,易焊
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
可在8毫米磁带和卷轴
设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。更换
在“T1”与设备号“T3”订购13英寸/ 10,000件卷轴。
热特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
峰值功耗@ 1.0毫秒( 1 )
@ TA
25°C
MMBZ5V6ALT1 , MMBZ6V2ALT1
MMBZ15VALT1 , MMBZ20VALT1
符号
PPK
°P
D
°
R
θJA
°P
D
°
R
θJA
TJ
TSTG
TL
MMBZ5V6ALT1*
MMBZ6V2ALT1
MMBZ15VALT1
MMBZ20VALT1
摩托罗拉的首选设备
SOT- 23共阳极DUAL
齐纳管
瞬态抑制器
24 & 40瓦
峰值功率
3
1
2
CASE 318-08
12风格
LOW PROFILE SOT- 23
塑料
1
3
2
PIN 1阴极
2.阴极
3.阳极
价值
24
40
225
1.8
556
300
2.4
417
- 55 + 150
260
单位
°毫瓦°
毫瓦/°C的
° C / W
°毫瓦
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
总功耗的FR- 5委员会( 2 ) @ TA = 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
总功耗在氧化铝基板( 3 ) @ TA = 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度范围
无铅焊锡温度 - 最大(持续10秒)
( 1 )非重复性按照图5和减免上述TA = 25 ℃,按照图6的电流脉冲。
(2)的FR- 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸
(3)氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸,99.5%的氧化铝
*其他电压可根据要求提供
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉公司1996年
MMBZ5V6ALT1 MMBZ6V2ALT1 MMBZ15VALT1 MMBZ20VALT1
摩托罗拉
1
首页
上一页
1
共6页

深圳市碧威特网络技术有限公司