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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1329页 > MMBZ6V2ALT1
MMBZ5V6ALT1系列
首选设备
24瓦和40瓦峰值功率
齐纳瞬态电压
抑制器
SOT- 23双共阳极齐纳二极管
对于ESD保护
这些双单片硅齐纳二极管被设计为
应用程序需要的瞬态过电压保护功能。他们
旨在用于在电压和ESD敏感设备如
计算机,打印机,商用机器,通信系统,
医疗设备和其他应用程序。他们共同的双结
阳极保护设计两条线只用一个包。这些
器件非常适合的情况下电路板空间非常珍贵。
特点
3
1
2
xxx
M
=器件代码
=日期代码
http://onsemi.com
1
3
2
记号
SOT23
CASE 318
12风格
无铅包可用
SOT- 23封装允许使用两个独立的单向
配置或单双向配置
工作峰值反向电压范围 - 3 V至26 V
标准齐纳击穿电压范围 - 5.6 V至33 V
峰值功率 - 24或40瓦@ 1.0毫秒(单向) ,
按照图5波形
ESD额定值N类(超过16千伏)按照人
人体模型
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5.0
mA
可燃性等级UL 94 V-0
xxx
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
表中的本数据手册的第3页上栏。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
机械特性
案例:
无空隙,传递模塑,热固性塑料外壳
表面处理:
完成耐腐蚀,易焊
最大外壳焊接温度的目的:
260℃ 10秒
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
可在8毫米磁带和卷轴
设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。
更换“T1”与“ T3 ”的设备编号订购
13英寸/ 10,000件卷轴。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年8月 - 启示录7
出版订单号:
MMBZ5V6ALT1/D
M
MMBZ5V6ALT1系列
最大额定值
等级
峰值功耗@ 1.0毫秒(注1 )
@ T
L
25°C
MMBZ5V6ALT1通MMBZ10VALT1
MMBZ12VALT1通MMBZ33VALT1
符号
P
pk
°P
D
°
R
qJA
°P
D
°
R
qJA
T
J
, T
英镑
T
L
价值
24
40
225
1.8
556
300
2.4
417
- 55 + 150
260
单位
°毫瓦°
毫瓦/°C的
° C / W
°毫瓦
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
总功耗的FR- 5委员会(注2 ) @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
总功耗在氧化铝基板(注3 ) @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度范围
无铅焊锡温度 - 最大(持续10秒)
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值(不正常的操作条件),并同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
按照图5 1.非重复性电流脉冲,并减免上述牛逼
A
= 25 ℃,按照图6 。
2, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸
3.氧化铝= 0.4 X 0.3 X 0.024中,99.5%的氧化铝。
*其他电压可根据要求提供。
订购信息
设备
MMBZ5V6ALT1
MMBZ5V6ALT1G
MMBZ5V6ALT3
MMBZ5V6ALT3G
MMBZ6VxALT1
MMBZ6VxALT1G
MMBZ6VxALT3
MMBZ6VxALT3G
MMBZ9V1ALT1
MMBZ9V1ALT1G
MMBZ9V1ALT3
MMBZ9V1ALT13G
MMBZxxVALT1
MMBZxxVALT1G
MMBZxxVALT3
MMBZxxVALT3G
SOT23
SOT23
(无铅)
SOT23
SOT23
(无铅)
SOT23
SOT23
(无铅)
SOT23
SOT23
(无铅)
SOT23
SOT23
(无铅)
SOT23
SOT23
(无铅)
SOT23
SOT23
(无铅)
SOT23
SOT23
(无铅)
航运
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
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2
MMBZ5V6ALT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
单向
(电路连接到引脚1和3或2和3)
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
QV
BR
I
F
V
F
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
V的最大温度系数
BR
正向电流
正向电压@ I
F
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
I
PP
V
C
V
BR
V
RWM
I
R
V
F
I
T
V
I
F
I
单向TVS
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
单向
(电路连接到引脚1和3或引脚2和3 )
(V
F
= 0.9 V最大@我
F
= 10 mA)的
24 WATTS
击穿电压
V
RWM
3.0
3.0
4.5
6.0
6.5
I
R
@
V
RWM
mA
5.0
0.5
0.5
0.3
0.3
V
BR
(注4 )
(V)
5.32
5.89
6.46
8.65
9.50
5.6
6.2
6.8
9.1
10
最大
5.88
6.51
7.14
9.56
10.5
@ I
T
mA
20
1.0
1.0
1.0
1.0
最大齐纳
阻抗
(注5 )
Z
ZT
@ I
ZT
W
11
Z
ZK
@ I
ZK
W
1600
mA
0.25
V
C
@ I
PP
(注6 )
V
C
V
8.0
8.7
9.6
14
14.2
I
PP
A
3.0
2.76
2.5
1.7
1.7
QV
BR
mV/5C
1.26
2.80
3.4
7.5
7.5
设备
MMBZ5V6AL
MMBZ6V2AL
MMBZ6V8AL
MMBZ9V1AL
MMBZ10VAL
设备
记号
5A6
6A2
6A8
9A1
10A
(V
F
= 0.9 V最大@我
F
= 10 mA)的
V
RWM
8.5
12
14.5
17
22
26
I
R
@
V
RWM
nA
200
50
50
50
50
50
40瓦
击穿电压
V
BR
(注4 )
(V)
11.40
14.25
17.10
19.00
25.65
31.35
12
15
18
20
27
33
最大
12.60
15.75
18.90
21.00
28.35
34.65
@ I
T
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
C
@ I
PP
(注6 )
V
C
V
17
21
25
28
40
46
I
PP
A
2.35
1.9
1.6
1.4
1.0
0.87
QV
BR
mV/5C
7.5
12.3
15.3
17.2
24.3
30.4
设备
MMBZ12VAL
MMBZ15VAL
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
设备
记号
12A
15A
18A
20A
27A
33A
4. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度下进行。
5. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是我
Z( AC)
= 0.1 I
Z( DC )
,与AC频率= 1.0千赫。
6.浪涌电流波形每图5和图每6减免
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3
MMBZ5V6ALT1系列
典型特征
18
击穿电压(伏)
(V
BR
@ I
T
)
15
12
9
6
3
0
40
0.1
0.01
40
I
R
( nA的)
10
1000
100
1
0
+ 100
+ 50
温度(℃)
+ 150
+ 85
+ 25
温度(℃)
+ 125
图1.典型击穿电压
与温度的关系
(上面的曲线为每个电压为双向模式,
下面的曲线是单向的模式)
图2.典型漏电流
与温度的关系
320
280
C,电容(pF )
240
200
160
120
15 V
80
40
0
0
1
BIAS ( V)
2
3
5.6 V
P
D
,功耗(毫瓦)
300
250
氧化铝基板
200
150
100
FR- 5局
50
0
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
150
175
图3.典型电容与偏置电压
(上面的曲线为每个电压为单向模式,
下面的曲线是双向模式)
图4.稳态功率降额曲线
http://onsemi.com
4
MMBZ5V6ALT1系列
典型特征
峰值脉冲降容%峰值
功率或电流@ T
A
= 25°C
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150 175
T
A
,环境温度( ° C)
200
t
r
10
ms
100
值(%)
脉冲宽度(T
P
)是德网络定义
因为这地步
峰值电流衰减到
我50 %
PP
.
峰值 - 我
PP
半值 -
50
t
P
0
I
PP
2
0
1
2
3
吨,时间( ms)的
4
图5.脉冲波形
MMBZ5V6ALT1
100
P
pk
,峰值浪涌功率( W)
矩形
波形,T
A
= 25°C
双向
100
P
pk
,峰值浪涌功率( W)
图6.脉冲降额曲线
MMBZ5V6ALT1
矩形
波形,T
A
= 25°C
双向
10
单向
10
单向
1
1
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
PW ,脉冲宽度(毫秒)
PW ,脉冲宽度(毫秒)
图7.最大不重复浪涌
动力方面, P
pk
与PW
电源被定义为V
RSM
X我
Z
(峰),其中V
RSM
is
钳位电压在我
Z
( PK) 。
图8.最大不重复浪涌
动力方面, P
pk
( NOM )与PW
电源被定义为V
Z
( NOM ) ×1
Z
(峰),其中
V
Z
( NOM)是在测得的额定齐纳电压
用于电压等级低测试电流。
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5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MMBZ5V6ALT1 / D
5.6 , 6.2 15 & 20伏SOT- 23
双单片通用
齐纳二极管的阳极
瞬态电压抑制器
对于ESD保护
这些双单片硅齐纳二极管被设计用于的应用
需要瞬态过电压保护功能。它们被设计用于
在电压和ESD敏感设备,如计算机,打印机,业务
机,通信系统,医疗设备和其他应用程序。
他们的双结共阳极保护设计使用两个单独的行
只有一个包。这些器件非常适合的情况下电路板空间
溢价。
规格特点:
SOT- 23封装允许使用两个独立的单向
配置或单双向配置
峰值功率 - 24或40瓦@ 1.0毫秒(单向) ,
按照图5波形
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5.0
A
ESD额定值N类(超过16千伏)按照人体模型
机械特性:
无空隙,传递模塑,热固性塑料外壳
完成耐腐蚀,易焊
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
可在8毫米磁带和卷轴
设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。更换
在“T1”与设备号“T3”订购13英寸/ 10,000件卷轴。
热特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
峰值功耗@ 1.0毫秒( 1 )
@ TA
25°C
MMBZ5V6ALT1 , MMBZ6V2ALT1
MMBZ15VALT1 , MMBZ20VALT1
符号
PPK
°P
D
°
R
θJA
°P
D
°
R
θJA
TJ
TSTG
TL
MMBZ5V6ALT1*
MMBZ6V2ALT1
MMBZ15VALT1
MMBZ20VALT1
摩托罗拉的首选设备
SOT- 23共阳极DUAL
齐纳管
瞬态抑制器
24 & 40瓦
峰值功率
3
1
2
CASE 318-08
12风格
LOW PROFILE SOT- 23
塑料
1
3
2
PIN 1阴极
2.阴极
3.阳极
价值
24
40
225
1.8
556
300
2.4
417
- 55 + 150
260
单位
°毫瓦°
毫瓦/°C的
° C / W
°毫瓦
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
总功耗的FR- 5委员会( 2 ) @ TA = 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
总功耗在氧化铝基板( 3 ) @ TA = 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度范围
无铅焊锡温度 - 最大(持续10秒)
( 1 )非重复性按照图5和减免上述TA = 25 ℃,按照图6的电流脉冲。
(2)的FR- 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸
(3)氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸,99.5%的氧化铝
*其他电压可根据要求提供
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉公司1996年
MMBZ5V6ALT1 MMBZ6V2ALT1 MMBZ15VALT1 MMBZ20VALT1
摩托罗拉
1
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
单向
(电路连接到引脚1和3或引脚2和3 )
( VF = 0.9 V最大@ IF = 10 mA)的
击穿电压
VZT(3)
(V)
5.32
5.89
5.6
6.2
最大
5.88
6.51
20
1.0
5.0
0.5
3.0
3.0
11
1600
0.25
最大反向
漏电流
IT @
(MA )
IR @ VR
(A)
(V)
最大齐纳阻抗( 5 )
最大
反向
浪涌
当前
IRSM(4)
(A)
3.0
2.76
最大反向
电压@
IRSM(4)
(夹紧
电压)
VRSM
(V)
8.0
8.7
最大
温度
对COEF网络cient
VBR
(毫伏/ ° C)
1.26
2.80
ZZT @ IZT
()
(MA )
ZZK @ IZK
()
(MA )
( VF = 1.1 V最大@ IF = 200 mA)的
击穿电压
VBR(3)
(V)
14.25
19.0
(3)
(4)
(5)
(5)
15
20
最大
15.75
21.0
1.0
1.0
IT @
(MA )
反向电压
工作峰值
VRWM
(V)
12.0
17.0
最大反向
漏电流
IRWM
红外光谱( nA的)
50
50
最大反向
浪涌电流
IRSM(4)
(A)
1.9
1.4
最大反向
电压@ IRSM ( 4 )
(钳位电压)
VRSM
(V)
21
28
最大
温度
对COEF网络cient
VBR
(毫伏/ ° C)
12.3
17.2
VZ / VBR处测量脉冲测试电流的IT在25 ℃的环境温度下进行。
浪涌电流波形每图5和图每6减免。
ZZT和ZZK被除以供给的AC电流加在器件上的交流电压降进行测量。的限制而指定的
IZ (AC) = 0.1 IZ (DC) ,交流频率= 1千赫。
典型特征
18
击穿电压(伏)
( VZ ,V BR @ I T )
15
12
9
6
3
0
– 40
0.1
0.01
– 40
红外光谱( nA的)
+ 100
+ 150
10
1000
100
1
0
+ 50
温度(℃)
+ 85
+ 25
温度(℃)
+ 125
图1.典型击穿电压
与温度的关系
(上面的曲线为每个电压为双向模式,
下面的曲线是单向的模式)
图2.典型漏电流
与温度的关系
摩托罗拉
2
MMBZ5V6ALT1 MMBZ6V2ALT1 MMBZ15VALT1 MMBZ20VALT1
320
280
PD ,功耗(毫瓦)
C,电容(pF )
240
200
160
120
15 V
80
40
0
0
1
BIAS ( V)
2
3
5.6 V
300
250
氧化铝基板
200
150
100
FR- 5局
50
0
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
150
175
图3.典型电容与偏置电压
(上面的曲线为每个电压为单向模式,
下面的曲线是双向模式)
图4.稳态功率降额曲线
tr
100
值(%)
峰值 - IRSM
脉冲宽度( TP)的定义
因为这地步
峰值电流衰减到
IRSM的50%。
tr
10
s
峰值脉冲降容%的峰值功率
或电流@ TA = 25
°
C
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
TA ,环境温度( ° C)
175
200
IRSM
半值 -
2
50
tP
0
0
1
2
3
吨,时间( ms)的
4
图5.脉冲波形
MMBZ5V6ALT1
100
PPK峰值浪涌功率( W)
PPK峰值浪涌功率( W)
双向
矩形
波形, TA = 25°C
100
图6.脉冲降额曲线
MMBZ5V6ALT1
矩形
波形, TA = 25°C
双向
10
单向
10
单向
1
1
0.1
1
10
PW ,脉冲宽度(毫秒)
100
1000
0.1
单向
1
10
PW ,脉冲宽度(毫秒)
100
1000
图7.最大不重复浪涌
动力方面, Ppk的与PW
电源被定义为VRSM X IZ ( PK ),其中VRSM是
钳位电压IZ ( PK) 。
图8.最大不重复浪涌
动力方面, Ppk的( NOM )与PW
电源被定义为VZ ( NOM )× IZ (PK ),其中
VZ( NOM)是在测得的额定齐纳电压
用于电压等级低测试电流。
MMBZ5V6ALT1 MMBZ6V2ALT1 MMBZ15VALT1 MMBZ20VALT1
摩托罗拉
3
典型的共阳极应用
一个四路口共阳极设计采用SOT- 23封装
年龄保护四个独立的线只用一个包。
这增加了灵活性和创造性,以PCB设计特别
当电路板空间非常珍贵。两个简单的例子,
TVS的应用说明如下。
电脑接口保护
A
键盘
终奌站
打印机
等等
B
I / O
C
D
实用
解码器
GND
MMBZ5V6ALT1
MMBZ6V2ALT1
MMBZ15VALT1
MMBZ20VALT1
微机保护
VDD
VGG
地址总线
内存
只读存储器
数据总线
I / O
中央处理器
时钟
控制总线
MMBZ5V6ALT1
MMBZ6V2ALT1
MMBZ15VALT1
MMBZ20VALT1
GND
MMBZ5V6ALT1
MMBZ6V2ALT1
MMBZ15VALT1
MMBZ20VALT1
摩托罗拉
4
MMBZ5V6ALT1 MMBZ6V2ALT1 MMBZ15VALT1 MMBZ20VALT1
对于采用SOT- 23表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何,包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
SOT–23
SOT- 23功耗
采用SOT -23的功耗的功能
漏极焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。
功耗用于表面贴装器件,确定
由TJ (最大值)的最大额定结温
死,R
θJA
从器件结的热阻
环境,以及工作温度TA 。使用
所提供的数据表中的SOT- 23封装的价值观,
PD可以计算如下:
PD =
TJ(MAX) - TA
R
θJA
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度,不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此,该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力,以使设备
受。
总是预热装置。
预热和焊接之间的温度增量
应在100 ℃或更低。 *
在预热和焊接,对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法,
的差值应为最大10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热到焊接,最大移
温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后,该设备应
使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度,从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却。
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力,这可能导致损坏
装置。
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
该方程对于环境温度为25℃的TA ,一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况是225毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
556°C/W
= 225毫瓦
为SOT- 23封装的556 ° C / W,假设使用
玻璃环氧印刷电路上推荐的足迹
板实现了225毫瓦的功耗。那里
其他选择实现更高的功率耗散
从SOT- 23封装。另一个替代方案是
使用陶瓷基板或铝芯板如
热复合 。使用的基板材料,如热
包层,铝芯板,功耗可
翻倍使用相同的足迹。
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