MMBZ5V6ALT1系列
首选设备
24瓦和40瓦峰值功率
齐纳瞬态电压
抑制器
SOT- 23双共阳极齐纳二极管
对于ESD保护
这些双单片硅齐纳二极管被设计为
应用程序需要的瞬态过电压保护功能。他们
旨在用于在电压和ESD敏感设备如
计算机，打印机，商用机器，通信系统，
医疗设备和其他应用程序。他们共同的双结
阳极保护设计两条线只用一个包。这些
器件非常适合的情况下电路板空间非常珍贵。
特点
3
1
2
xxx
M
=器件代码
=日期代码
http://onsemi.com
1
3
2
记号
图
SOT23
CASE 318
12风格
无铅包可用
SOT- 23封装允许使用两个独立的单向
配置或单双向配置
工作峰值反向电压范围 - 3 V至26 V
标准齐纳击穿电压范围 - 5.6 V至33 V
峰值功率 - 24或40瓦@ 1.0毫秒（单向） ，
按照图5波形
ESD额定值N类（超过16千伏）按照人
人体模型
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5.0
mA
可燃性等级UL 94 V-0
xxx
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
表中的本数据手册的第3页上栏。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
260℃ 10秒
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
可在8毫米磁带和卷轴
设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。
更换“T1”与“ T3 ”的设备编号订购
13英寸/ 10,000件卷轴。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年8月 - 启示录7
出版订单号：
MMBZ5V6ALT1/D
M
MMBZ5V6ALT1系列
最大额定值
等级
峰值功耗@ 1.0毫秒（注1 ）
@ T
L
≤
25°C
MMBZ5V6ALT1通MMBZ10VALT1
MMBZ12VALT1通MMBZ33VALT1
符号
P
pk
°P
D
°
R
qJA
°P
D
°
R
qJA
T
J
, T
英镑
T
L
价值
24
40
225
1.8
556
300
2.4
417
- 55 + 150
260
单位
瓦
°毫瓦°
毫瓦/°C的
° C / W
°毫瓦
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
总功耗的FR- 5委员会（注2 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
总功耗在氧化铝基板（注3 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度范围
无铅焊锡温度 - 最大（持续10秒）
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
按照图5 1.非重复性电流脉冲，并减免上述牛逼
A
= 25 ℃，按照图6 。
2， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸
3.氧化铝= 0.4 X 0.3 X 0.024中，99.5％的氧化铝。
*其他电压可根据要求提供。
订购信息
设备
MMBZ5V6ALT1
MMBZ5V6ALT1G
MMBZ5V6ALT3
MMBZ5V6ALT3G
MMBZ6VxALT1
MMBZ6VxALT1G
MMBZ6VxALT3
MMBZ6VxALT3G
MMBZ9V1ALT1
MMBZ9V1ALT1G
MMBZ9V1ALT3
MMBZ9V1ALT13G
MMBZxxVALT1
MMBZxxVALT1G
MMBZxxVALT3
MMBZxxVALT3G
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
航运
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
MMBZ5V6ALT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
单向
（电路连接到引脚1和3或2和3）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
QV
BR
I
F
V
F
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
V的最大温度系数
BR
正向电流
正向电压@ I
F
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
I
PP
V
C
V
BR
V
RWM
I
R
V
F
I
T
V
I
F
I
单向TVS
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
单向
（电路连接到引脚1和3或引脚2和3 ）
(V
F
= 0.9 V最大@我
F
= 10 mA）的
24 WATTS
击穿电压
V
RWM
伏
3.0
3.0
4.5
6.0
6.5
I
R
@
V
RWM
mA
5.0
0.5
0.5
0.3
0.3
V
BR
（注4 ）
(V)
民
5.32
5.89
6.46
8.65
9.50
喃
5.6
6.2
6.8
9.1
10
最大
5.88
6.51
7.14
9.56
10.5
@ I
T
mA
20
1.0
1.0
1.0
1.0
最大齐纳
阻抗
（注5 ）
Z
ZT
@ I
ZT
W
11
Z
ZK
@ I
ZK
W
1600
mA
0.25
V
C
@ I
PP
（注6 ）
V
C
V
8.0
8.7
9.6
14
14.2
I
PP
A
3.0
2.76
2.5
1.7
1.7
QV
BR
mV/5C
1.26
2.80
3.4
7.5
7.5
设备
MMBZ5V6AL
MMBZ6V2AL
MMBZ6V8AL
MMBZ9V1AL
MMBZ10VAL
设备
记号
5A6
6A2
6A8
9A1
10A
(V
F
= 0.9 V最大@我
F
= 10 mA）的
V
RWM
伏
8.5
12
14.5
17
22
26
I
R
@
V
RWM
nA
200
50
50
50
50
50
40瓦
击穿电压
V
BR
（注4 ）
(V)
民
11.40
14.25
17.10
19.00
25.65
31.35
喃
12
15
18
20
27
33
最大
12.60
15.75
18.90
21.00
28.35
34.65
@ I
T
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
C
@ I
PP
（注6 ）
V
C
V
17
21
25
28
40
46
I
PP
A
2.35
1.9
1.6
1.4
1.0
0.87
QV
BR
mV/5C
7.5
12.3
15.3
17.2
24.3
30.4
设备
MMBZ12VAL
MMBZ15VAL
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
设备
记号
12A
15A
18A
20A
27A
33A
4. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度下进行。
5. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
，与AC频率= 1.0千赫。
6.浪涌电流波形每图5和图每6减免
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3
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MMBZ5V6ALT1 / D
5.6 ， 6.2 15 & 20伏SOT- 23
双单片通用
齐纳二极管的阳极
瞬态电压抑制器
对于ESD保护
这些双单片硅齐纳二极管被设计用于的应用
需要瞬态过电压保护功能。它们被设计用于
在电压和ESD敏感设备，如计算机，打印机，业务
机，通信系统，医疗设备和其他应用程序。
他们的双结共阳极保护设计使用两个单独的行
只有一个包。这些器件非常适合的情况下电路板空间
溢价。
规格特点：
SOT- 23封装允许使用两个独立的单向
配置或单双向配置
峰值功率 - 24或40瓦@ 1.0毫秒（单向） ，
按照图5波形
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5.0
A
ESD额定值N类（超过16千伏）按照人体模型
机械特性：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
完成耐腐蚀，易焊
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
可在8毫米磁带和卷轴
设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。更换
在“T1”与设备号“T3”订购13英寸/ 10,000件卷轴。
热特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
峰值功耗@ 1.0毫秒（ 1 ）
@ TA
≤
25°C
MMBZ5V6ALT1 ， MMBZ6V2ALT1
MMBZ15VALT1 ， MMBZ20VALT1
符号
PPK
°P
D
°
R
θJA
°P
D
°
R
θJA
TJ
TSTG
TL
MMBZ5V6ALT1*
MMBZ6V2ALT1
MMBZ15VALT1
MMBZ20VALT1
摩托罗拉的首选设备
SOT- 23共阳极DUAL
齐纳管
瞬态抑制器
24 & 40瓦
峰值功率
3
1
2
CASE 318-08
12风格
LOW PROFILE SOT- 23
塑料
1
3
2
PIN 1阴极
2.阴极
3.阳极
价值
24
40
225
1.8
556
300
2.4
417
- 55 + 150
260
单位
瓦
°毫瓦°
毫瓦/°C的
° C / W
°毫瓦
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
总功耗的FR- 5委员会（ 2 ） @ TA = 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
总功耗在氧化铝基板（ 3 ） @ TA = 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度范围
无铅焊锡温度 - 最大（持续10秒）
（ 1 ）非重复性按照图5和减免上述TA = 25 ℃，按照图6的电流脉冲。
（2）的FR- 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸
（3）氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸，99.5％的氧化铝
*其他电压可根据要求提供
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉公司1996年
MMBZ5V6ALT1 MMBZ6V2ALT1 MMBZ15VALT1 MMBZ20VALT1
摩托罗拉
1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
单向
（电路连接到引脚1和3或引脚2和3 ）
（ VF = 0.9 V最大@ IF = 10 mA）的
击穿电压
VZT(3)
(V)
民
5.32
5.89
喃
5.6
6.2
最大
5.88
6.51
20
1.0
5.0
0.5
3.0
3.0
11
—
1600
—
0.25
—
最大反向
漏电流
IT @
（MA ）
IR @ VR
(A)
(V)
最大齐纳阻抗（ 5 ）
最大
反向
浪涌
当前
IRSM(4)
(A)
3.0
2.76
最大反向
电压@
IRSM(4)
（夹紧
电压）
VRSM
(V)
8.0
8.7
最大
温度
对COEF网络cient
VBR
（毫伏/ ° C）
1.26
2.80
ZZT @ IZT
()
（MA ）
ZZK @ IZK
()
（MA ）
（ VF = 1.1 V最大@ IF = 200 mA）的
击穿电压
VBR(3)
(V)
民
14.25
19.0
(3)
(4)
(5)
(5)
喃
15
20
最大
15.75
21.0
1.0
1.0
IT @
（MA ）
反向电压
工作峰值
VRWM
(V)
12.0
17.0
最大反向
漏电流
IRWM
红外光谱（ nA的）
50
50
最大反向
浪涌电流
IRSM(4)
(A)
1.9
1.4
最大反向
电压@ IRSM （ 4 ）
（钳位电压）
VRSM
(V)
21
28
最大
温度
对COEF网络cient
VBR
（毫伏/ ° C）
12.3
17.2
VZ / VBR处测量脉冲测试电流的IT在25 ℃的环境温度下进行。
浪涌电流波形每图5和图每6减免。
ZZT和ZZK被除以供给的AC电流加在器件上的交流电压降进行测量。的限制而指定的
IZ （AC） = 0.1 IZ （DC） ，交流频率= 1千赫。
典型特征
18
击穿电压（伏）
（ VZ ，V BR @ I T ）
15
12
9
6
3
0
– 40
0.1
0.01
– 40
红外光谱（ nA的）
+ 100
+ 150
10
1000
100
1
0
+ 50
温度（℃）
+ 85
+ 25
温度（℃）
+ 125
图1.典型击穿电压
与温度的关系
（上面的曲线为每个电压为双向模式，
下面的曲线是单向的模式）
图2.典型漏电流
与温度的关系
摩托罗拉
2
MMBZ5V6ALT1 MMBZ6V2ALT1 MMBZ15VALT1 MMBZ20VALT1
320
280
PD ，功耗（毫瓦）
C，电容（pF ）
240
200
160
120
15 V
80
40
0
0
1
BIAS （ V）
2
3
5.6 V
300
250
氧化铝基板
200
150
100
FR- 5局
50
0
0
25
50
75
100
125
温度（℃）
150
175
图3.典型电容与偏置电压
（上面的曲线为每个电压为单向模式，
下面的曲线是双向模式）
图4.稳态功率降额曲线
tr
100
值（％）
峰值 - IRSM
脉冲宽度（ TP）的定义
因为这地步
峰值电流衰减到
IRSM的50％。
tr
≤
10
s
峰值脉冲降容％的峰值功率
或电流@ TA = 25
°
C
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
TA ，环境温度（ ° C）
175
200
IRSM
半值 -
2
50
tP
0
0
1
2
3
吨，时间（ ms）的
4
图5.脉冲波形
MMBZ5V6ALT1
100
PPK峰值浪涌功率（ W）
PPK峰值浪涌功率（ W）
双向
矩形
波形， TA = 25°C
100
图6.脉冲降额曲线
MMBZ5V6ALT1
矩形
波形， TA = 25°C
双向
10
单向
10
单向
1
1
0.1
1
10
PW ，脉冲宽度（毫秒）
100
1000
0.1
单向
1
10
PW ，脉冲宽度（毫秒）
100
1000
图7.最大不重复浪涌
动力方面， Ppk的与PW
电源被定义为VRSM X IZ （ PK ），其中VRSM是
钳位电压IZ （ PK） 。
图8.最大不重复浪涌
动力方面， Ppk的（ NOM ）与PW
电源被定义为VZ （ NOM ）× IZ （PK ），其中
VZ（ NOM）是在测得的额定齐纳电压
用于电压等级低测试电流。
MMBZ5V6ALT1 MMBZ6V2ALT1 MMBZ15VALT1 MMBZ20VALT1
摩托罗拉
3
典型的共阳极应用
一个四路口共阳极设计采用SOT- 23封装
年龄保护四个独立的线只用一个包。
这增加了灵活性和创造性，以PCB设计特别
当电路板空间非常珍贵。两个简单的例子，
TVS的应用说明如下。
电脑接口保护
A
键盘
终奌站
打印机
等等
B
I / O
C
D
实用
解码器
GND
MMBZ5V6ALT1
MMBZ6V2ALT1
MMBZ15VALT1
MMBZ20VALT1
微机保护
VDD
VGG
地址总线
内存
只读存储器
数据总线
I / O
中央处理器
时钟
控制总线
MMBZ5V6ALT1
MMBZ6V2ALT1
MMBZ15VALT1
MMBZ20VALT1
GND
MMBZ5V6ALT1
MMBZ6V2ALT1
MMBZ15VALT1
MMBZ20VALT1
摩托罗拉
4
MMBZ5V6ALT1 MMBZ6V2ALT1 MMBZ15VALT1 MMBZ20VALT1
对于采用SOT- 23表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
SOT–23
SOT- 23功耗
采用SOT -23的功耗的功能
漏极焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。
功耗用于表面贴装器件，确定
由TJ （最大值）的最大额定结温
死，R
θJA
从器件结的热阻
环境，以及工作温度TA 。使用
所提供的数据表中的SOT- 23封装的价值观，
PD可以计算如下：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热和焊接之间的温度增量
应在100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法，
的差值应为最大10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热到焊接，最大移
温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却。
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力，这可能导致损坏
装置。
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况是225毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
556°C/W
= 225毫瓦
为SOT- 23封装的556 ° C / W，假设使用
玻璃环氧印刷电路上推荐的足迹
板实现了225毫瓦的功耗。那里
其他选择实现更高的功率耗散
从SOT- 23封装。另一个替代方案是
使用陶瓷基板或铝芯板如
热复合 。使用的基板材料，如热
包层，铝芯板，功耗可
翻倍使用相同的足迹。
MMBZ5V6ALT1 MMBZ6V2ALT1 MMBZ15VALT1 MMBZ20VALT1
摩托罗拉
5
QQ：2881677436 复制
