FDZ7064AS 30V N沟道的PowerTrench SyncFET BGA封装MOSFET
十二月2004
FDZ7064AS
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET BGA封装MOSFET
特点
■
13.5 A， 30 V.
R
DS （ ON）
= 5.6 m
@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 7.1 m
@ V
GS
= 4.5 V
■
只占用14毫米
2
的PCB面积。只有42％的面积的
SO-8
概述
该MOSFET的设计来取代单个MOSFET和
同步直流并联肖特基二极管：直流电源。
结合飞兆半导体的30V的PowerTrench SyncFET过程
艺术BGA封装的状态下， FDZ7064AS既减少
PCB空间和R
DS （ ON）
。此BGA SyncFET体现了
突破这两个封装和功率MOSFET集成
这使得装置能够结合优异的热传递
特性，高电流处理能力，超低廓
包装，低栅电荷，超低反向恢复电荷
与低R
DS （ ON）
.
■
超薄封装：小于0.76毫米高度安装时
在PCB
■
3.5 ×4mm的
2
脚印
■
高功率和电流处理能力。
应用
■
DC / DC转换器
销1
D
D
D
D
D
D
F7064AS
D
S
S
S
G
D
S
S
S
S
D
S
S
S
S
D
S
S
S
S
D
D
D
D
D
G
销1
S
底部
顶部
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
功率耗散（稳态）
（注1A ）
（注1A ）
参数
评级
30
±
20
13.5
60
2.2
-55到+150
单位
V
V
A
W
°
C
工作和存储结温范围
热特性
R
θ
JA
R
θ
JB
R
θ
JC
热阻，结到环境
（注1A ）
热阻，结到球
（注1 ）
热阻，结到外壳
（注1 ）
56
4.5
0.6
°
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
7064AS
设备
FDZ7064AS
带尺寸
13”
胶带宽度
12mm
QUANTITY
3000
2004仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FDZ7064AS版本A
