FDZ7064AS 30V N沟道的PowerTrench SyncFET BGA封装MOSFET
典型特征
10
3000
I
D
= 13.5A
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
2500
V
GS
，栅源电压（V ）
8
电容（pF）
V
DS
= 10V
2000
6
20V
C
国际空间站
1500
C
OSS
1000
4
15V
2
500
C
RSS
0
0
0
10
20
Q
g
，栅极电荷（ NC）
30
40
0
5
10
15
V
DS
，漏源极电压（ V）
20
图7.栅极电荷特性。
1000
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
50
图8.电容特性。
I
D
，漏电流（ A）
100
R
DS （ ON）
极限
10ms
10
100ms
1s
1
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
JA
= 119 ° C / W
T
A
= 25°C
0.01
0.01
DC
10s
1ms
40
单脉冲
R
θ
JA
= 119 ° C / W
T
A
= 25°C
30
20
0.1
10
0.1
1
10
100
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏源电压（V ）
t
1
，时间（秒）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效的瞬变
热阻
1
D = 0.5
0.2
R
θ
JA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 119
°
C / W
0.05
0.02
0.1
0.1
P（ PK）
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
单脉冲
0.01
0.01
0.001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1b中描述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
4
FDZ7064AS版本A
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