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1千兆P30系列
2.0
功能概述
本节提供的功能与1千兆位P30系列器件的功能的概述。
在P30系列通过1千兆位提供64兆位密度升级。该系列器件
提供高性能的在上一个16位数据总线的低电压。单独擦除存储器
块的尺寸，以获得最佳的代码和数据的存储。
在初始上电或复位时的返回，设备默认为异步页面模式读取。
配置读取配置寄存器使能同步突发模式读取。在
同步脉冲串模式下，输出数据与用户提供的时钟信号同步。等待
信号提供了一个易于CPU到闪速存储器的同步。
除了增强的体系结构和接口，该设备采用了技术
能够快速的工厂编程和擦除操作。专为低电压系统中， 1千兆位
P30系列支持与V读操作
CC
在1.8 V ，并擦除和编程操作
V
PP
在1.8 V或9.0 V.缓冲增强工厂编程（ BEFP ）提供最快闪光
阵列编程性能与V
PP
在9.0 V，从而提高工厂产能。随着V
PP
在1.8 V ， VCC和VPP可以连在一起，一个简单的，超低功耗设计。此外
电压的灵活性，有专门的VPP连接提供了完整的数据保护时， V
PP
≤
V
PPLK
.
A命令的用户界面（ CUI）是系统处理器和所有内部之间的接口
该装置的操作。内部写状态机（ WSM ）自动执行
算法和必要的块擦除和编程时序。状态寄存器表示擦除或
计划完成和可能发生的任何错误。
行业标准的命令序列调用编程和擦除自动化。每个擦除
操作擦除一个块。擦除挂起功能允许系统软件暂停擦除
循环读取或在另一个块的程序数据。节目暂停允许系统软件暂停
编程读取其它位置。数据编程在字为单位（ 16位）。
1千兆P30系列的保护寄存器允许独特的闪光装置的识别，可以
用来提高系统的安全性。个别块锁定功能提供零延迟块
锁定和解锁。此外， P30的装置还具有在主四个预定义的位
阵列可以被配置为一次可编程（OTP） 。
数据表
英特尔的StrataFlash
嵌入式存储器（ P30 ）
订单号： 306666 ，修订： 001
2005年4月
9
