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1千兆P30系列
1.0
介绍
本文档提供有关英特尔StrataFlash嵌入式存储器的信息（ P30 ）设备
并描述其功能，操作和规范。
1.1
命名法
1.8 V :
3.0 V :
9.0 V :
V
CC
（核心）电压1.7 V范围 - 2.0 V
V
CCQ
（ I / O）的1.7 V电压范围 - 3.6 V
V
PP
8.5 V电压范围 - 9.5 V
一组内的位，字节， 1千兆位P30家庭或词的
能同时当擦除擦除闪存阵列
命令被发送到该设备。 1千兆P30系列拥有
2块大小： 32K字节和128千字节。
这通常用来存储代码和/或数据的阵列块。
主要模块比参数块大。
是通常用来存储频繁变化的阵列块
数据或小型系统参数，传统上会
存储在EEPROM中。
其参数的块的装置，位于最
它的存储器映射的物理地址。
其参数的块的装置，位于所述最低
它的存储器映射的物理地址。
块：
主块：
参数块：
顶级的设备参数：
底层设备参数：
1.2
缩略语
BEFP ：
崔：
MLC ：
OTP ：
PLR ：
PR ：
RCR ：
缓冲增强工厂编程
命令的用户界面
多级单元
一次性可编程
保护锁注册
保护注册
阅读CON组fi guration寄存器
数据表
英特尔的StrataFlash
嵌入式存储器（ P30 ）
订单号： 306666 ，修订： 001
2005年4月
7
