UTRON
修订版1.1
写周期1
(
WE
控制）
(1,2,3,5,6)
UT62W256C
32K ×8位低功耗CMOS SRAM
t
W C
地址
t
AW
CE
t
CW
t
AS
WE
t
W P
t
W R
t
W HZ
DOUT
(4)
高-Z
t
OW
(4)
t
DW
DIN
t
DH
数据有效
写周期2
(
CE
控制）
(1,2,5,6)
t
W C
一个地址H1
t
一种W
CE
t
A S
t
C宽
t
W P
t
W R
WE
t
W H
D OUT
(4)
IGH -Z
t
W
d。在
ATA V alid
t
深高
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