UTRON
修订版1.1
UT62W256C
32K ×8位低功耗CMOS SRAM
时序波形
读周期1
（地址控制）
(1,2)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
DOUT
以前的数据有效
数据有效
t
OH
读周期2
(
CE
和
OE
控制）
(1,3,4,5)
t
RC
地址
t
AA
CE
t
ACE
OE
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
DOUT
高-Z
数据有效
t
CHZ
t
OHZ
t
OH
高-Z
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.Device不断选择OE =低， CE =低
.
3.Address必须是有效的之前或暗合了CE =低
,
;否则吨
AA
是限制参数。
4.t
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
和T
OHZ
用C指定
L
= 5pF的。转变是从稳态测量± 500mV的。
5.At任何给定的温度和电压条件下，叔
CHZ
小于吨
CLZ
, t
OHZ
小于吨
OLZ
.
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