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初步
集成
电路
系统公司
ICS8432-11
700MH
Z
/350MH
Z
, L
OW
P
HASE
N
OISE
,
C
RYSTAL
-
TO
- 3.3V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
4.6V
-0.5V到V
CC
+ 0.5 V
50mA
100mA
47.9 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
CC
输入，V
I
输出，我
O
连续电流
浪涌电流
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
CC
V
CCA
V
CCO
I
EE
I
CCA
参数
正电源电压
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
3.465
110
15
单位
V
V
V
mA
mA
T
ABLE
4B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
IH
V
IL
参数
输入高电压
输入低电压
M0 - M4 ， M6 ， M8 ， N0 ， N1 ， MR，
S_CLOCK ， TEST_CLK ，
输入
S-DATA ， S_LOAD ， nP_LOAD
HIGH CURRENT
M5 ， XTAL_SEL ， VCO_SEL
M0 - M4 ， M6 ， M8 ， N0 ， N1 ， MR，
S_CLOCK ， TEST_CLK ，
S-DATA ， S_LOAD ， nP_LOAD
M5 ， XTAL_SEL ， VCO_SEL
V
OH
V
OL
产量
高压
产量
低电压
TEST;注1
TEST;注1
测试条件
最低
2
-0.3
V
CC
= V
IN
= 3.465V
V
CC
= V
IN
= 3.465V
V
CC
= 3.465V,
V
IN
= 0V
V
CC
= 3.465V,
V
IN
= 0V
-5
典型
最大
V
CC
+ 0.3
0.8
150
5
单位
V
V
A
A
A
I
IH
I
IL
输入
低电流
-150
2.6
0.5
A
V
V
注1 ：输出端接50Ω到V
CCO
/ 2 。请参见“参数测量信息”部分，
“ 3.3V输出负载测试电路”的身影。
8432CY-11
www.icst.com/products/hiperclocks.html
5
REV 。 ê二零零五年五月二十零日
