ZL50030
A13 - A0
0027
H
0028
H
0029
H
002A
H
002B
H
002C
H
002D
H
002E
H
位置
当地BER输入选择寄存器， LBIS
当地BER注册， LBERR
背板BER输入选择寄存器，巴士转车站
背板BER注册， BBERR
DPLL操作模式寄存器1 ， DOM1
DPLL操作模式寄存器2 ， DOM2
DPLL输出调整寄存器， DPOA
DPLL看家注册， DHKR
数据表
表6 - 地址映射的内部寄存器（ A13 = 0 ） （续）
如果A13的高，其余地址输入线，用于选择所述数据和连接存储器位置
对应于串行输入或输出的数据流示于表7第20页上。
控制寄存器（ CR ） ，设备模式选择寄存器（ DMS ）和块编程模式寄存器
（BPM）的控制设备的所有主要功能。在DMS和BPM应立即后进行编程
系统加电以建立所需的开关配置。控制寄存器用于选择数据或
连接内存的微创操作， ST- BUS输出帧和时钟模式，并设置内存模块
编程和误码率测试。
控制寄存器（ CR ）由内存块编程位（ MBP ）和存储器选择位
（ MS2-0 ） 。该内存块编程位，用户可以在两帧的整个连接存储方案
（见第8.0节， “内存块编程”第16页） 。内存选择位控制的选择
连接的存储器或数据存储器。请参阅第35页的表8为控制寄存器的内容。
DMS的寄存器包括背板和本地模式选择位（ BMS ， LG31的 - LG30 ， LG21 - LG20 ，
LG11 - LG10和LG01 - LG00 ） ，用于使各开关模式下的背板和本地
分别的接口。请参阅第36页的表9的DMS寄存器的内容。
BPM的寄存器包含的块的编程数据比特（ LBPD2-0和BBPD2-0 ）和块编程
使能位（ BPE ） 。块编程使能位允许用户在整个背板和本地程序
在两帧连接存储器（见第8.0节， “内存块编程”第16页） 。如果ODE引脚
低，背板CT- BUS是在输入模式和本地输出驱动器处于高阻抗状态。如果ODE销
高，所有的I / O驱动程序来控制对每个通道的基础上通过背板背板CT- Bus和当地的ST- BUS
和本地连接的回忆，分别。通过在背板连接“110”编程BTM2-0位
存储器中，用户可以控制每个通道的输入（可用于高阻抗）的底板接口上。
对于本地接口，用户可以设定LTM2 -0位为“ 110 ”，在本地连接内存控制
每个通道的输入（可用于高阻抗） 。请参阅第37页的表10的BPM寄存器的内容。
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卓联半导体公司
