4-megabit
SRAM
描述
特点
4兆位的SRAM是一种高速，超低功耗CMOS SRAM组织为256K
字由16位。该SRAM采用高性能全CMOS工艺技术，是
设计用于高速和低功耗的电路技术。它特别适合用于
高密度低功耗系统中的应用。此装置具有瓜尔一个数据保留模式
antees数据将保持有效，在1.2V的最小供电电压。
完全静态的操作和三态输出
TTL兼容的输入和输出
备用电池
- 1.2V （最小值）数据保留
电压（V）的
2.7 - 3.3
速度快（纳秒）
70
手术
电流/ I
CC
（MA ）
（最大）
3
待机电流
(A)
（最大）
10
温度
(° C)
-40 - 85
框图
A0
行解码器
SENSE AMP
I/O0
数据I / O缓存
块
解码器
PRE解码器
添加输入缓冲器
I/O7
I/O8
存储阵列
256K ×16
写入驱动器
COLUMN
解码器
I/O15
A17
SCS1
SCS2
国有企业
SLB
子
SWE
26
AT52BR1664A(T)
3361C–STKD–1/04
