AT52BR1664A(T)
项目周期特点
符号
t
BP
t
BPD
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
WP
t
WPH
t
WC
t
RP
t
EC
t
SEC1
t
SEC2
t
ES
t
PS
参数
字编程时间
在双编程模式字编程时间
地址建立时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
把脉冲宽度
写脉冲宽高
写周期时间
复位脉冲宽度
芯片擦除周期时间
扇区擦除周期（ 4K字扇区）
扇区擦除周期时间（ 32K字扇区）
擦除挂起时间
节目暂停时间
0
35
35
0
35
35
70
500
25
3.0
5.0
15
10
民
典型值
12
6
最大
200
100
单位
s
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
秒
秒
秒
s
s
项目周期波形
项目周期
OE
CE
t
WP
t
WPH
t
BP
WE
t
AS
t
AH
555
AAA
t
DH
555
地址
555
A0 - A19
t
WC
t
DS
AA
55
A0
输入
数据
AA
数据
部门或芯片擦除周期波形
OE
(1)
CE
t
WP
t
WPH
WE
t
AS
t
AH
555
AAA
t
DH
555
555
AAA
注2
A0-A19
t
WC
t
DS
AA
55
WORD 1
80
WORD 2
AA
WORD 3
55
WORD 4
注3
WORD 5
t
EC
数据
WORD 0
注意事项：
1. OE要高只有当我们和CE都很低。
2.芯片擦除，地址应为555扇区擦除，地址取决于部门是被删除。
（请参见第14页的“命令定义的十六进制”注3）
3.对于芯片擦除，数据应该是10H ，和扇区擦除，数据应该是30H 。
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3361C–STKD–1/04
