MIL-PRF-19500/420H
1.4主要电气特性。除非另有规定，T
A
= +25°C.
I
R2
在T
A
= +100°C
TYPE
V
f
在我
f
= 9.0 A（ PK）
1 ％的占空比，
8.3 ms的最大脉冲宽度
闵V（ PK）
1N5550 ， 1N5550US
1N5551 ， 1N5551US
1N5552 ， 1N5552US
1N5553 ， 1N5553US
1N5554 ， 1N5554US
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
MAX V （ PK）
1.2
1.2
1.2
1.3
1.3
I
R1
R
θ
JL
R
θ
JEC
A
DC （最大）在V
R
（ V DC）
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
200
400
600
800
1,000
A
DC （最大）在V
R
（ V DC）
75
75
75
75
75
200
400
600
800
1,000
见（ 1 ）
(1) R
θ
JL
≤
对于L 22 ° C / W = 0.375英寸（ 9.52毫米） 。
R
θ
JEC
≤
为L = 0 （美版） 11 ° C / W 。
2.适用文件
* 2.1一般。在本节中所列出的文件中的第3， 4或5本说明书指定。这
部不包括引用文件在本说明书中的其它部分的或推荐的附加
信息或作为例子。虽然已尽力确保本清单的完整性，文档
用户应注意，它们必须符合文件规定的所有要求引用第3， 4 ，或5本
说明书中，无论它们是否被列出。
2.2政府文件。
* 2.2.1规格，标准和手册。以下规范，标准，和手册形成
此文件在本文中所指定的范围的一部分。除非另有说明，这些文件的问题是
这些引用在招标或合同。
*
防御规格DEPARTMENT
MIL-PRF-19500
*
-
半导体器件，一般规格。
作者防御标准部
MIL-STD-750
-
测试方法半导体器件。
* （可在网上，这些文件的副本
http://assist.daps.dla.mil/quicksearch/
or
www.dodssp.dap.mil
或从标准化文档顺序台， 700罗宾斯大道，大厦4D ，费城，宾夕法尼亚州
19111-5094.)
2.3优先顺序。在本文档的文本和参考文献之间有冲突的引用的事件
这里，这个文档的文本优先。本文件的内容，但是，取代适用法律
并规定除非特定豁免已获得。
2
