文档和流程转换

必要的措施以符合本次修订

由2004年7月19日完成。

英制

MIL-PRF-19500/420H

2004年4月19日

取代

MIL-PRF-19500/420G

○○二年十二月三十

性能规格表

*半导体器件，二极管，硅，电源，整流器，

类型1N5550 1N5554 THROUGH ， 1N5550US THROUGH 1N5554US ，

JAN ， JANTX ， JANTXV ， JANS ， JANHCA ， JANHCB ， JANHCC ， JANHCD ，

JANHCE ， JANKCA ， JANKCD ，和JANKCE

本规范由所有部门批准使用

国防部和机构。

*

1.范围

* 1.1范围。该规范涵盖了芯片的性能要求，通用，半导体

二极管。提供给每个封装的器件类型的四个层次的产品保证在规定的

MIL -PRF- 19500 。提供给每个未封装的器件类型两个级别的产品保证。

1.2物理尺寸。见图1 （类似于DO- 41）， 1N5550 1N5554通过图2 1N5550US

通过1N5554US ，和图3，图4，图5 ，图6和7为JANHC和JANKC死亡。

1.3最大额定值。除非另有规定，T

C

= + 25 ° C和收视率适用于所有情况概述。

歌罗西书1

TYPE

歌罗西书2

V

（ BR ）

歌罗西书3

V

RWM

和

V

（ BR ）分

4上校

I

O1

T

L

= +55°C;

L = .375英寸

(1) (2) (3)

直流

5

5

5

5

5

5上校

I

FSM

I

O

= 2将DC

t

p

= 1/120 s

T

A

= +55°C

A（ PK）

100

100

100

100

100

6上校

T

J

第7栏

I

O2

T

A

=

+55°C

(2) (4)

直流

3

3

3

3

3

第8栏

T

英镑

用于获得在此描述应包括的产品的要求

此规格表和MIL -PRF- 19500 。

V DC

1N5550 ， 1N5550US

1N5551 ， 1N5551US

1N5552 ， 1N5552US

1N5553 ， 1N5553US

1N5554 ， 1N5554US

200

400

600

800

1,000

200

400

600

800

1,000

°C

-65到+200

-65到+200

-65到+200

-65到+200

-65到+200

°C

-65到+175

-65到+175

-65到+175

-65到+175

-65到+175

（ 1 ）线性降额41.6毫安/ ° C以上牛逼

L

= + 55°C ，在L = 0.375英寸（ 9.53毫米） 。

（2）予

O

达6的直流是可允许的，只要适当的散热片或强制空气冷却保持

为证明所结的温升试验最高结温低于+ 200 ° C（见6.5 ） 。

气压降低：

1N5550 ， 1N5551 ， 1N5552 - 8毫米汞柱（100,000英尺） 。

1N5553, 1N5554

- 33毫米汞柱（70,000英尺） 。

（ 3 ）不适用于表面贴装器件。

（ 4 ）线性降额在25毫安/ ° C以上牛逼

A

= +55°C.

*意见，建议，或对本文档的问题应当向国防供应中心，

哥伦布，联系人： DSCC - VAC ， P.O.盒3990 ，哥伦布，俄亥俄州43216-5000 ，或通过电子邮件发送给

Semiconduction@dscc.dla.mil

。由于联系人信息可以更改，你可能要验证的货币

在使用辅助在线数据库这个地址信息

http://www.dodssp.daps.mil 。

美国超导公司N / A

FSC 5961