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初步规格。
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三菱的LSI
MH8D64AKQC-75,-10
536,870,912位（ 8,388,608 - WORD 64位），双数据速率同步DRAM模组
AC时序要求
（组件级）
（大= 0 70°C
， Vdd的= VDDQ = 2.5 ±0.2V ， VSS = VSSQ = 0V ，除非另有说明）
AC特性
SY米BOL
TAC
参数
DQ输出有效数据的延迟时间f光盘CLK CLK //
分钟。
-0.75
-0.75
0.45
0.45
CL=2.5
TCK
TDS
TDH
tDIPW
太赫兹
TLZ
TDQSQ
CLK CY 乐时间
CL=2
输入设置时间（ DQ ， DM）
输入保持时间（ DQ ， DM）
DQ和DM输入脉冲宽度（六或每个输入）
数据输出高阻抗的时间F ROM // CLK CLK
数据输出低阻抗时间F ROM // CLK CLK
DQ数据有效延迟时间f光盘DQS
tCLmin
or
tCHmin
THP-
0.75
0.75
0.35
0.35
0.2
0.2
15
0
0.4
0.25
0.9
0.9
0.4
0.9
0.6
1.1
0.6
1.25
10
0.5
0.5
1.75
-0.75
-0.75
+0.75
+0.75
+0.5
tCLmin
or
tCHmin
tHP-1.0
0.75
0.35
0.35
0.2
0.2
15
0
0.4
0.25
1.1
1.1
0.4
0.9
0.6
1.1
0.6
1.25
15
10
0.6
0.6
2
-0.8
-0.8
+0.8
+0.8
+0.6
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
14
14
7.5
-75
马克斯。
+0.75
+0.75
0.55
0.55
15
分钟。
-0.8
-0.8
0.45
0.45
8
-10
马克斯。
+0.8
+0.8
0.55
0.55
15
单位
ns
ns
TCK
TCK
ns
笔记
tDQSCK DQ输出有效数据的延迟时间f光盘CLK CLK //
总胆固醇
TCL
CLK高列夫·埃尔宽度
CLK低列弗EL宽
THP
时钟半周期
ns
tQH
tDQSS
tDQSH
tDQSL
TDSS
tDSH
超过tMRD
输出DQS V alid窗口
写命令到F IRST DQS闭锁过渡
DQS投入高列夫·埃尔宽度
DQS输入低列弗EL宽
DQS阿灵阿F边缘CLK建立时间
DQS F奥林边缘保持时间f光盘CLK
模式寄存器设置命令CY 乐时间
ns
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
ns
ns
TCK
TCK
ns
ns
TCK
TCK
16
15
tWPRES写序言建立时间
tWPST
tWPRE
TIS
TIH
tRPST
tRPRE
写后同步
写序言
输入设置时间（地址和控制）
输入保持时间（地址和控制）
阅读后同步
阅读序言
19
19
MIT-DS-0419-0.1
三菱
电
17.May.2001
18
