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指数
下一页数据表
IR51H737
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
B
) = 12V ,除非另有规定。
符号
t
rr
Q
rr
DT
D
参数
德网络nition
反向恢复时间( MOSFET体二极管)
反向恢复电荷( MOSFET体二极管)
死区时间, LS关断到HS开启&
HS关断到LS开启
R
T
占空比
T
A
= 25C
分钟。典型值。马克斯。单位
---
---
---
---
320
1.5
1.2
50
---
---
---
---
ns
C
s
%
测试条件
I
F
= 1.3 A
的di / dt = 100A / μs的
f
OSC
= 20千赫
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
B
) = 12V ,除非另有规定。
符号
参数
德网络nition
T
A
= 25C
分钟。典型值。马克斯。单位
---
---
---
---
---
---
50
---
---
8.4
8.0
300
15.6
30
V
20
100
---
V
---
---
---
---
A
V
A
测试条件
电源特性
V
CCUV +
V
CC
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CCUV-
V
CC
电源欠压负向
门槛
I
QCC
静态V
CC
电源电流
V
V
CC
齐纳分流钳位电压
浮动电源特性
I
QBS
静态V
BS
电源电流
I
OS
胶印机供应漏电流---
振荡器的I / O特性
f
OSC
振荡器频率
I
CC
= 5毫安
B
= V
IN
= 300V
---
千赫
---
1.0
A
2.5V < V
---
---
mV
---
---
---
---
V
---
---
V
R
T
= 35.7 k,
C
T
= 1 nF的
R
T
= 7.04 k,
C
T
= 1 nF的
& LT ; V
CCUV +
I
RT
= -100 A
I
RT
= -1毫安
I
RT
= 100 A
I
RT
= 1毫安
2.5V < V
CC
& LT ; V
CCUV +
CC
I
CT
V
CTUV
V
RT +
V
RT-
C
T
输入电流
C
T
欠压锁定
---
R
T
高电平输出电压V
CC
- R
T
R
T
低电平输出电压
100
V
RTUV
R
T
欠压锁定,V
CC
- R
T
V
CT +
2/3 V
CC
门槛
V
CT-
1/3 V
CC
门槛
输出特性
R
DS ( ON)
静态漏 - 源极导通电阻
V
SD
二极管的正向电压
---
0.8
--- 0.001
---
---
20
---
200
---
20
---
200
---
100
---
8.0
---
4.0
---
0.75
---
I
D
= 800毫安
T
j
= 150 C
TO ORDER

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