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数据表号PD- 6.057D
IR51H737
自振荡半桥
特点
n
n
n
n
n
n
产品概述
V
IN
（最大）
占空比
死区时间
R
DS （ ON）
P
D
(T
A
= 25 C)
300V
50%
1.2s
0.75
2.0W
在半桥结构的输出功率MOSFET
300V额定击穿电压
设计为引导操作的高侧栅极驱动器
两个功率MOSFET精确的时序控制
匹配延迟以得到50％的占空比
1.2us匹配的死区时间
内部振荡器，可编程频率
1
1
.
4
× (
R
T
+
75
) ×
C
T
齐纳二极管钳位Vcc的用于脱机运行
半桥输出的相位差为R
T
f
=
描述
该IR51H737是一种高电压，高转速，自
振荡半桥。专有的HVIC和锁存器
免疫CMOS技术，伴随着
HEXFET
功率MOSFET技术，使
坚固耐用的单封装结构。前端
具有可编程的振荡器，其功能
类似的CMOS 555定时器。供给到所述
控制电路有一个齐纳二极管钳位，以简化离线
操作。输出提供在两HEXFETs
与内部设定的半桥式配置
死区时间设计为最小的跨导在
半桥。传播延迟的高和
低侧功率MOSFET的匹配，以简化使用
在占空比为50％的应用程序。该设备可以
工作在高达300伏。
包
IR51H737
9506
典型连接
ü P
V在
T O服务
3 0 0 V
D C
B美国
IR 5 1 H 7 3 7
1
V
C C
V
B
6
2
R
T
V在
9
牛逼
3
C
T
V
7
（C T）
4
C 0 M
T O服务
1。· A D
C 0 M
TO ORDER
