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ADuC841/ADuC842/ADuC843
如果获得超过64 KB的RAM需要一个功能
特有的ADuC841 / ADuC842 / ADuC843允许寻址
荷兰国际集团到外部RAM容量为16M字节简单地通过增加一个
如示于图79的附加闩锁。
ADuC841/
ADuC842/
ADuC843
SRAM
0.1F
数字电源
+
–
10F
模拟电源
10F
+
–
DV
DD
AV
DD
0.1F
P0
LATCH
ALE
D0–D7
（ DATA）的
A0–A7
ADuC841/
ADuC842/
ADuC843
DGND
AGND
03260-0-080
P2
LATCH
A8–A15
图80.外部双电源连接
A16–A23
WR
WE
图79.外部数据存储器接口（ 16兆字节地址空间）
在任一实现中，端口0（ P0），作为复用
地址/数据总线。它发出的数据指针的低字节（ DPL ）
作为一个地址，它是由ALE的脉冲之前的数据锁存
被放置在总线上由ADuC841 / ADuC842 / ADuC843
（写操作）或由SRAM（读操作）。端口2 （P2）的
提供的数据指针页字节（ DPP）是由ALE锁存，
其次由数据指针高字节（ DPH） 。如果没有锁存器
连接到P2 ， DPP由SRAM忽略， 8051
64千字节的外部数据存储器访问标准保持不变。
03260-0-079
RD
OE
作为替代，以提供两个单独的电源，在
用户可帮助保持AV
DD
安静的放置串联一个小电阻
和/或它与DV之间的铁氧体磁珠
DD
，然后去耦
AV
DD
分别接地。这种结构的一个例子是
在图81示出根据这样的结构，其他模拟
电路（如运算放大器和基准电压源）可以关
来自AV
DD
供给线为好。用户仍然希望
包括AV间背到背肖特基二极管
DD
和DV
DD
以保护他们免受电和断电瞬间
条件下，可以暂时分开的两个电源电压。
数字电源
10F
+
–
DV
DD
0.1F
AV
DD
0.1F
珠子
1.6
10F
电源
各部分的操作电源电压取决于
该部分是否是3 V版本或5 V的版本。该
规范内部2.7 V给出了电源至3.6 V
或标称5伏电平的±5％。
注意，图80和图81指的是PQFP封装。
对于CSP封装，连接额外的DV
DD
，DGND AV
DD
,
与AGND中相同的方式。另外，在底部的桨
包应被焊接到金属板，以提供
机械稳定性。此金属板不应连接
到地面。
独立的模拟和数字电源引脚（ AV
DD
和DV
DD
,
分别为）让AV
DD
要保持相对自由的吵
数字信号通常存在于系统上的DV
DD
线。
不过，虽然可以启动AV
DD
和DV
DD
从两个
独立的电源，如果需要的话，你必须确保它们保持
在±彼此的在任何时候都0.3伏，以避免损坏
芯片（按照绝对最大额定值部分） 。因此，
因此建议，除非AV
DD
和DV
DD
连接
直接在一起，背来背肖特基二极管应CON
它们之间的连接的，如图80 。
ADuC841/
ADuC842/
ADuC843
DGND
AGND
图81.外部单电源连接
请注意，在这两个图80和图81中，一个大的数值
（ 10 μF ）储能电容坐在DV
DD
和一个单独的10 μF
电容坐在AV
DD
。此外，当地的小值（ 0.1 μF ）电容
器分别位于各V
DD
针芯片。按标准
设计实践中，一定要包括所有这些电容，并
保证了更小的电容接近每个AV
DD
引脚
走线长度尽可能短。连接接地端子
这些电容器的直接到地
平面。最后，请注意，在任何时候，模拟地和数字地
对部分引脚必须被引用到同一个系统地
参考点。
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03260-0-081
