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F I A L
功能说明
设备擦除
为了清除其编程的所有地点
内容时，该设备必须被暴露在紫外线
光源。的15瓦秒/平方厘米的剂量
2
是必须的
完全删除该设备。这个剂量可以转播
通过暴露tained到紫外线灯 - 波长
2537 A - 12000 μW /平方厘米的强度
2
为15 20的
分钟。该设备应在与有关直接
从源头上一寸，所有的过滤器应重
从擦除前的UV光源移动。
请注意，所有的紫外线擦除设备将光擦除
源其波长小于4000埃，这样的
如日光灯和阳光。虽然删除
过程发生在一个更长的时间段，前
曝光至任何光源应当防止对
最大的系统可靠性。简单地覆盖包
窗用不透明的标签或物质。
该特定设备。一个高层次的CE ＃ / PGM ＃输入IN-
hibits被编程的其他设备。
程序校验
一个验证应在执行编程
位，以确定他们是正确编程。
验证应与OE ＃在V进行
IL
， CE ＃ /
PGM ＃在V
IH
和V
PP
12.5 V和13.0 V之间
自动选择模式
自选模式提供了制造商和脱离
通过DQ0-识别码识别副
DQ7 。这种模式的主要目的是用于编程
设备自动匹配的设备是亲
编程与其相应的编程algo-
rithm 。该模式的功能，在25℃
±
5°C
亲时所需的环境温度范围
编程器件。
以激活此模式中，编程设备
必须强制V
H
在地址线A9 。两个标志字节
然后可从该装置的输出通过瓶酒测序
从V岭大战地址线A0
IL
到V
IH
（也就是说，改变
从00h地址为01H ） 。所有其他地址线
必须在V举行
IL
中自动选择模式。
字节0 （ A0 = V
IL
）表示的制造商代码，
和字节1 （ A0 = V
IH
） ，该设备标识符的代码。两
代码有奇校验，以DQ7作为奇偶校验位。
器件编程
交货时，或之后的每个擦除，该设备具有
所有位的“一” ，或HIGH的状态。 “0”是
通过编程亲加载到设备
cedure 。
在进入编程模式时， 12.75 V
±
0.25 V施加于V
PP
脚， CE ＃ / PGM ＃是V
IL
和OE ＃是V
IH
.
对于编程，编程数据是AP-
合股8位并行数据输出管脚。
在EPROM产品数据手册，亲流程图
编程节（ 5 ，图5-1 ）显示AMD的
Flashrite算法。该Flashrite算法降低亲
通过使用一个100微秒的编程脉冲编程时间
并通过给每个地址只能尽可能多的脉冲可靠性
巧妙地程序中的数据。之后的每个脉冲被施加到一个
给定的地址，在该地址中的数据进行验证。如果
数据不验证，额外的脉冲给定，直到它
验证或允许的最大脉冲为止。这
而经由各个AD-测序过程被重复
着装设备。该算法的这部分做的
V
CC
= 6.25 V ，以保证每一个EPROM位亲
编程到SUF网络ciently高阈值电压。后
最后的地址完成时，整个EPROM MEM-
储器是在V验证
CC
= V
PP
= 5.25 V.
请参考EPROM产品数据手册，仲
5化的编程流程图和characteris-
抽动。
读取模式
要在设备的输出获得的数据，芯片使能（ CE ＃ /
PGM ＃）和输出使能（ OE ＃ ）必须被驱动为低电平。
CE ＃ / PGM ＃控制的电源装置，是典型
ically用于选择该设备。 OE＃使该设备
到输出数据，独立的设备的选择。 AD-
衣服必须是稳定的，至少吨
加
–t
OE
。请参阅
对于时序dia-的开关波形部分
克。
待机模式
该器件进入CMOS待机模式时，
CE ＃ / PGM ＃是V
CC
±
0.3 V最大V
CC
电流
降低到100 μA 。该器件进入TTL待机
模式，当CE ＃ / PGM ＃是V
IH
。最大V
CC
电流
租金降低到1.0毫安。当在待机状态下两种
模式下，设备会将其输出的高阻抗
ANCE状态，独立的OE ＃输入。
输出或- Tieing
为了适应多种存储连接，一
两线控制功能提供了允许：
s
低内存功耗，
s
保证不会发生输出总线争
CE＃ / PGM ＃应该被解码，并作为革命制度党
玛丽设备选择功能，而OE ＃进行一
禁止程序
不同的数据编程到标准杆多台设备
等位基因是很容易实现的。除了CE ＃ / PGM ＃中，所有
器件的像输入可以是常见的。一个TTL
低级别的编程脉冲施加到一个装置的CE ＃ /
PGM ＃输入与V
PP
= 12.75 V
±
0.25 V会编程
Am27C040
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