DRV8850
SLVSCC0A - 2013年11月 - 修订2014年1月
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INxH
INxL
高边
门
HS摆率
HS摆率
低端
门
LS摆率
LS摆率
的OUTx
t
延迟
t
DEAD
t
F
t
延迟
t
R
t
DEAD
图17.高边缓慢衰减或快速衰减操作 - 目前陷入的OUTx
电源和输入引脚
内部电荷泵产生比VCC的是，用于驱动内部的N沟道的电压大于
功率MOSFET。电荷泵需要VCP和VCC引脚之间的电容。 TI建议
VCC旁路至地以0.1和10 μF陶瓷电容，放置在尽可能靠近IC放置。每个输入
引脚具有弱下拉电阻到地（见
电气特性
有关详细信息） 。
输入引脚不应该被驱动到超过0.6 V无需去除的VCC电源。
LDO稳压器
LDO稳压器被集成到DRV8850设备。 LDO稳压器通常被用来提供
电源电压的低功耗微控制器。对于正确的操作，绕过LDOOUT引脚来使用GND
陶瓷电容器。此组件的推荐值是2.2
μF.
两个外部电阻器用于设置在LDO电压（V
LDO
）通过创建LDOOUT之间的分压器
和LDOFB 。 LDO的输出电压可以由下式给出：
V
LDO
哪里
V
FB
x
1
R
1 /
R
2
V
R1位于LDOOUT和LDOFB之间
R2是LDOFB和GND之间
(2)
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