DRV8850
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SLVSCC0A - 2013年11月 - 修订2014年1月
摆率控制
上升和下降时间（T
R
和T
F
）的输出可通过一个外部电阻器的连接的值来调整
从SR引脚接地。输出压摆率内部调整的DRV8850装置通过控制
驱动FET栅极斜坡率。
在SR引脚的典型电压为0.6 V内部驱动。改变电阻值单调地增加
压摆率从约100 ns至100微秒。对于外部电阻的推荐值是从
GND为2.4 MΩ 。如果SR引脚接地，然后压摆率是100纳秒。
死区时间
死区时间（T
DEAD
）被测量为当的OUTx是高阻关断的H桥的FET中的一个之间的时间
并打开另一个。例如，输出为高阻关闭高侧FET和打开之间
低边FET 。驱动电流从引脚时，输出被观察到下降到一个二极管压降以下
在死区时间地面。当驱动电流到销钉，所述输出观察到上升到一个二极管压降
上述VCC 。
该DRV8850具有大约100纳秒的模拟死区时间。除了这个模拟死区时间时，输出
为Hi -Z时，场效应管的栅极的电压小于阈值电压。总的死时间依赖于SR
电阻器的设置，因为在FET栅极电压的上升的一部分包括所述观察到的死区时间。
传播延迟
传播延迟时间（t
延迟
）被测量为一个输入边缘到的输出变化之间的时间。这
时间是由两部分组成：一个输入限变和输出回转延迟。限变防止噪声的输入
从影响输出状态下的输入引脚。
输出压摆率也有助于延迟时间。对典型的操作期间的输出改变状态，
第1场效应晶体管，必须关闭。场效应管的栅极被下调根据SR电阻的选择，并且
当FET栅极下降到小于阈值电压观测到的传播延迟结束。
INxH
INxL
高边
门
HS摆率
HS摆率
低端
门
LS摆率
LS摆率
的OUTx
t
延迟
t
DEAD
t
R
t
延迟
t
F
t
DEAD
图16.低端衰减慢的操作 - 从当前的OUTx来源
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