AS1353/AS1356
数据表
- TY P I C A L
应用
9典型应用
图13.典型应用图
为+2.5
+5.5V
IN
C
IN
1F
OUT
AS1356
On
SHDNM
GND
POK
100kΩ
关闭
On
关闭
C
BP
0.01F
BP
SHDNM
GND
电容的选择和调节器的稳定性
陶瓷电容强烈建议，为他们提供了他们的钽电容和铝明显的优势elec-
trolytic组件。
对于稳定运行与负载电流高达150mA在整个设备的温度范围内，使用一个1μF （最小值）
陶瓷输出电容的ESR <0.2Ω 。
使用较大的输出电容值（ 10μF ），能够减少噪声并提高负载瞬态响应性，稳定性和
电源抑制。
注意：
一些陶瓷电容器具有大容量和ESR的变化与温度变化。 Z5U
并且可能需要Y5V电容器，以保证在温度低于T稳定性
AMB
= -10℃ 。采用X7R或X5R
电容， 1μF电容应足以在任何工作温度。
电源抑制比
该AS1353 / AS1356旨在提供低压差电压和低静态电流。电源抑制
为60dB （典型值）的低频率。为了提高电源噪声抑制和瞬态响应，增加值
的输入和输出旁路电容器（参见图13） 。
典型工作特性（第6页）显示设备的电源及负载瞬态响应。参见上电
电源抑制比与典型工作特性部分频率曲线图（第6页）进一步
详细信息。
输入输出电压差
对标准产品与输出电压大于最小V
IN
（2.5V ），最小输入输出电压昼夜温差
髓鞘（压差）确定的最低可用电源电压。这就决定报废的电池用
电压的电池供电系统。
的电压差为P- MOSFET的漏极 - 源极导通电阻乘以负载电流的函数，并且是
计算方法如下：
hn
一个IC
人米
共s
A
NT摹
en
ts
TIL
V
降
= V
IN
- V
OUT
= R
DS （ ON）
X我
OUT
修订版1.03
Te
c
其中：
R
DS （ ON）
是漏极 - 源极导通电阻。
I
OUT
是电源电流。
参见典型工作特性（第6页）了解更多信息。
www.austriamicrosystems.com
lv
（公式3 ）
10 - 13
al
以微
处理器
id
AS1353
C
OUT
1F
预置输出
1.5 3.6V ，
150mA
为+2.5
+5.5V
IN
C
IN
1F
OUT
C
OUT
1F
预置输出
1.5 3.6V ，
150mA
