AS1353/AS1356
数据表
- D E T A I L E D
描述
功率确定功能未激活关闭过程中，并且提供上电复位（POR ）功能，可以操作
低至V
IN
= 1V 。一种电容器，到GND可以加入，以产生POR延时。
为了获得一个逻辑电平输出，从POK脚连接一个上拉电阻引脚输出。这个电阻值越大将使
有助于最大限度地减少电流消耗; 100kΩ的电阻非常适合大多数应用程序（参见图13） 。
电池反向保护
限流
该AS1353采用外部0.01μF旁路电容（C
BP
）引脚BP ，以减少输出噪声。内部预充电
电路，用于减少启动时间。
使用C ++
BP
> 0.01μF改善噪声性能，但增加启动时间。
热过载保护
该器件通过集成的温度传感器电路免受热失控条件。热
关断是为了防止模具过热的有效手段，因为功率晶体管是在原则热源
装置。
如果结点温度超过165C （典型值， AS1356 ）或150℃ （典型值， AS1353 ） ，热传感器启动关断模式
下逻辑，在该点的P沟道MOSFET被关断。之后，该设备温度已下降
约20℃ ，热传感器将再次打开P沟道MOSFET上。需要注意的是，这将表现为一个
连续热过载条件下的脉冲输出。
注意：
为+ 150℃的绝对最高结温额定值不应在不断能操作被超越
通报BULLETIN 。
工作区和功耗
最大功耗是由壳体和电路板时，温度的热阻确定昼夜温差
管芯结和环境空气，和空气流速之间ference 。该设备的功耗是calcu-
迟来者：
P = I
OUT
(V
IN
- V
OUT
)
（公式1）
最大功耗由下式计算：
hn
一个IC
人米
共s
A
NT摹
en
ts
TIL
P
最大
= (T
J
- T
AMB
) / (
Θ
JB
+
Θ
JA
)
修订版1.03
降噪
其中：
Te
c
T
J
-
T
AMB
是器件管芯结和周围空气之间的温度差。
Θ
JB
or
Θ
JC
是封装的热阻。
Θ
JA
是通过在印刷电路板的耐热性，铜迹线，并且向周围的其它材料
空气中。
注意：
引脚GND是一个多功能引脚提供给系统接地的连接并充当散热器。该引脚
应连接到使用大垫或接地平面系统接地。
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lv
该AS1353 / AS1356包括电流限制电路，防止短路情况。该电路监测
和控制所述P沟道MOSFET的栅极电压，从而限制了输出电流，以380毫安（典型值） 。该P沟道
MOSFET的输出可以与地短接用于在不确定的时间周期，而不会损坏器件。
al
（公式2 ）
9 - 13
id
该AS1353 / AS1356包含集成电池反接保护电路，监视引脚和极性
SHDNM并断开内部电路和寄生二极管如果电池连接不正确。相反的支持
层电流限制到1mA，若V
IN
= V
SHDNM
低于地面。负载电流也受到限制时， V
IN
或V
SHDNM
是
反向偏置相对于地面。
