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ADuC7036
参数
封装的热特定网络阳离子
热关断
1
, 31
热阻抗（ θ
JA
)
32
电源要求
电源电压
VDD （电池供电）
REG_DVDD ， REG_AVDD
33
耗电量
I
DD
（ MCU正常模式）
34
测试条件/评论
民
140
48引脚LFCSP封装，堆叠芯片
典型值
150
45
最大
160
单位
°C
° C / W
3.5
2.5
MCU时钟频率= 10.24 MHz的ADC关闭
MCU时钟频率= 20.48 MHz的ADC关闭（有效期
ADuC7036CCPZ和ADuC7036DCPZ只）
ADC的低功耗模式下，测量到的范围
T
A
= -10 ° C至+ 40 ° C，持续的ADC转换
ADC的低功耗模式下，测量到的范围
T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，持续的ADC转换
ADC的低功耗模式下，测过的
的T系列
A
= -10 ° C至+ 40 ° C，持续的ADC
转变
平均电流，具有唤醒和测量
从低功耗看门狗定时器计时
振荡器，T
A
= -40 ° C至+ 85°C
平均电流，具有唤醒和测量
从低功耗振荡器的看门狗定时器时钟
在一定范围内的T
A
= -10 ° C至+ 40°C
2.6
10
20
300
300
520
18
2.7
20
30
400
500
700
V
V
mA
mA
μA
μA
μA
I
DD
（ MCU断电）
1
120
300
μA
I
DD
（ MCU断电）
120
175
μA
I
DD
（电流ADC）
I
DD
（电压/温度ADC）
I
DD
（精密振荡器）
1
2
1.7
0.5
400
mA
mA
μA
这些数字是不是生产测试，但设计和/或特性的数据，在产能释放有保证。
有效期为PGA的电流ADC增益设定值= 4 64 。
3
这些数字包括温度漂移。
4
经测试，在增益范围= 4 ;自偏移校准消除此错误。
5
测定利用内部短路的初始偏移校准之后。
6
测量内部短路。
7
这些数字包括内部基准电压温度漂移。
8
工厂校准在增益= 1 。
9
系统校准在特定的增益范围（和温度） ，在此增益范围（和温度）来消除此误差。
10
包括初始系统校准。
11
使用ADC正常模式电压基准。
12
在低功耗模式下的典型噪声测量印章启用。
13
电压通道规格包括电阻衰减器的输入级。
14
系统校准消除这种误差在规定的温度。
15
RMS噪声被称为电压衰减器的输入（例如，在f
ADC
= 1千赫，在ADC输入端的典型均方根噪声为7.5 μV ）和衰减器缩放（除以24 ）
产生这些输入参考噪声规格/值。
16
有效的初始自校准后。
17
在ADC的低功耗模式下，所述输入范围是固定的，在± 9.375毫伏。在ADC的低功耗模式下，所述输入范围是固定的，在± 2.34375毫伏。
18
有可能高达10 ％ ，延长ADC的输入范围通过修改增益校准寄存器的出厂设置值或使用系统校准。这种方法
也可用于降低ADC的输入范围（ LSB的大小） 。
19
由最小/最大绝对输入电压范围的限制。
20
有效期为差分输入小于10毫伏。
21
采用箱法测定。
22
长期稳定规范非累积。在随后的千小时期间漂移比前1000个小时的时间内显著降低。
23
高达REG_AVDD引用可以通过使内部的除以2得到满足。
24
模具温度。
25
耐力是合格10,000次按JEDEC标准。 22方法A117和在-40℃下测得的， + 25 ℃， + 125 ℃。典型的耐力在25 ° C为17万次。
26
保持期限相当于在结温（T
J
） 85℃按照JEDEC标准。 22方法A117 。保持期限随着结温递减。
27
低功耗振荡器可校准针对该精密振荡器或用户代码的外部32.768 kHz晶振。
28
这些数字是不是生产测试，而是由LIN一致性测试支持。
29
BSD电气规格，除了高和低电压电平，为每LIN 2.0和上拉电阻禁用和C
L
= 10nF的最大值。
30
R后指定
极限
39 Ω 。
31
MCU内核没有关机，但是中断，高压I / O引脚响应热关断事件禁用。
32
热阻抗，可用于计算温度梯度从环境温度到模具温度。
33
内部稳压电源提供REG_DVDD （我
来源
= 5 mA）的，并且REG_AVDD （我
来源
= 1 mA）的。
34
列出的规格为典型;额外的电源电流中的Flash / EE存储器编程消耗和擦除周期为7 mA和5毫安分别。
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