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DRV8842
www.ti.com
SLVSAB8D
2010年5月
经修订的2012年1月
热信息
热保护
该DRV8842具有如上所述的热关断( TSD ) 。如果芯片温度超过大约
150℃下,该设备将被禁止,直到温度下降到安全的水平。
该设备进入TSD的倾向是要么功耗过大的指标,不足
的散热,或过高的环境温度。
功耗
运行的直流电动机时的平均功耗,在DRV8842可粗略估计:
式(2) 。
P =
2
·
R
DS ( ON)
·
(I
OUT
)
2
(2)
其中P是一个H桥, R中的功率耗散
DS ( ON)
是每个FET的电阻,并且我
OUT
是RMS
输出电流被施加到每相绕组。我
OUT
等于通过DC马达汲取的平均电流。记
即在起动时和故障条件此电流比正常运行电流高得多;这些峰值电流
和它们的持续时间也需要被考虑在内。的2的因子来自这样的事实,在任何
即时两个FET都在进行绕组电流(高侧和低压侧) 。
功率的,可以在设备中被耗散的最大数量取决于环境温度和
散热。
需要注意的是R
DS ( ON)
随温度增加,因此作为装置加热时,功耗增大。这必须
当调整散热器予以考虑。
散热
在使用PowerPad 封装使用裸露焊盘以从设备中取出热量。对于正确的操作,这垫
必须将热连接到铜PCB上的散热。上的多层印刷电路板具有接地平面,
这可以通过添加一些过孔的热焊盘连接至所述接地平面来实现。 PCB上
无内架,铜区可以在PCB的两侧被添加到散热。如果铜区
对从设备的印刷电路板的相对侧,热通路用于传输顶部和之间的热
底层。
有关如何设计PCB的详细信息,请参阅TI应用报告
SLMA002,
"使用PowerPad 热
增强Package"和TI应用简介
SLMA004,
"使用PowerPad 制造Easy" ,可在
www.ti.com 。
在一般情况下,可以提供更多的铜的面积,更多的功率可消退。
版权
2010-2012年,德州仪器
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