飞利浦半导体
产品speci fi cation
64位TTL双极型RAM，反相（三态）
74F189A
AC电气特性
范围
T
AMB
= +25
°
C
符号
参数
TEST
条件
C
L
= 50pF的，R
L
= 500
民
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
禁止时间
CE到Qn
写恢复时间
禁止时间
我们还为QN
启用时间
我们还为QN
存取时间
传播延迟
一到Qn
启用时间
CE到Qn
波形1
波形2
波形3
波形4
波形4
2.5
2.0
2.0
2.0
2.5
1.5
2.0
2.5
3.5
1.5
典型值
5.0
4.5
3.5
4.0
4.5
3.0
4.0
4.5
5.5
3.5
最大
8.0
8.0
6.0
7.0
7.0
5.5
6.5
7.5
8.5
6.5
V
CC
= +5.0V
T
AMB
= 0
°
C至+70
°
C
C
L
= 50pF的，R
L
= 500
民
2.5
2.0
1.5
2.0
2.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1.5
最大
8.0
8.0
7.0
7.5
8.0
6.0
7.0
8.0
9.0
7.0
ns
ns
ns
ns
ns
V
CC
= +5.0V
±
10%
单位
AC设置要求
范围
T
AMB
= +25
°
C
符号
参数
TEST
条件
C
L
= 50pF的，R
L
= 500
民
t
su
(H)
t
su
(L)
t
h
(H)
t
h
(L)
t
su
(H)
t
su
(L)
t
h
(H)
t
h
(L)
t
su
(L)
t
h
(L)
t
w
(L)
建立时间，高或低
一个以WE
保持时间，高或低
一个以WE
建立时间，高或低
DN给我们
保持时间，高或低
DN给我们
建立时间，低
CE （下降沿）到WE （下降沿）
保持时间， LOW
WE （下降沿）到WE （上升沿）
脉冲宽度，低
WE
波形4
波形4
波形4
波形4
波形4
波形4
波形4
4.5
4.5
0
0
7.5
6.5
0
0
0
6.5
7.0
典型值
最大
V
CC
= +5.0V
T
AMB
= 0
°
C至+70
°
C
C
L
= 50pF的，R
L
= 500
民
5.0
5.0
0
0
9.0
8.0
0
0
0
7.5
8.0
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
CC
= +5.0V
±
10%
单位
AC波形读周期
An
V
M
t
PHL
Qn
V
M
t
PLH
注意：
对于所有的波形，V
M
= 1.5V.
波形1.读周期，地址访问时间
SF00303
1990年02月23日
5
