飞利浦半导体
产品speci fi cation
64位TTL双极型RAM，反相（三态）
74F189A
特点
高速性能
替代74F189
地址访问时间：最大为8ns VS 28ns的74F189
功耗： 4.3mW /位
钳位肖特基TTL
一个芯片使能
反相输出（非反相输出看74F219A ）
三态输出
74F189A在150万宽SO是新设计最佳的选择
描述
该74F189A是作为一个16字的高速， 64位RAM
由4位的数组。地址输入端被缓冲以减少加载和
被完全解码芯片上。输出处于高阻抗状态
每当芯片使能（CE ）是高的。输出是活动的唯一
在读模式（WE =高） ，输出的数据是
补充所存储的数据。
典型
供应
当前
（ TOTAL ）
55mA
TYPE
74F189A
典型
ACCESS
时间
5.0ns
订购信息
订货编号
描述
商用系列
V
CC
= 5V
±
10%, T
AMB
= 0
°
C至+70
°
C
16引脚塑料双列直插封装
16引脚塑料小外形封装（ 150mil ）
N74F189AN
N74F189AD
SOT38-4
SOT109-1
图号
输入和输出负载和风扇输出表
引脚
D0 – D3
A0 – A3
CE
WE
Q0 – Q3
数据输入
地址输入
芯片使能输入（低电平有效）
写使能输入（低电平有效）
数据输出
描述
74F （ U.L. ）
HIGH / LOW
1.0/1.0
1.0/1.0
1.0/2.0
1.0/2.0
150/40
负载值
HIGH / LOW
20A/0.6mA
20A/0.6mA
20A/1.2mA
20A/1.2mA
3mA/24mA
注意：
一（ 1.0 ）快速机组负荷的定义是： 20μA的高状态， 0.6毫安在低状态。
引脚配置
A0 1
CE 2
有3个
D0 4
Q0 5
D1 6
Q1 7
GND 8
16 V
CC
15 A1
14 A2
13 A3
12 D3
11 Q3
10 D2
9
Q2
逻辑符号
4
6 10 12
D0 D1 D2 D3
1
15
14
13
2
3
A0
A1
A2
A3
CE
WE
Q0 Q1 Q2 Q3
V
CC
= 16 PIN
GND = 8 PIN
5
7
9
11
SF00299
SF00300
1990年02月23日
2
853–1309 98908
飞利浦半导体
产品speci fi cation
64位TTL双极型RAM，反相（三态）
74F189A
IEC / IEEE符号
1
15
14
13
2
3
1
G1
1 EN [读取]
1 C2 [写]
A,2D
A
5
7
9
11
RAM 16X4
0
0
A
15
功能表
输入
CE
L
L
H
H
WE
H
L
L
X
Dn
X
L
H
X
产量
Q
n
存储补
数据
高
阻抗
高阻抗
高阻抗
操作
模式
读
写'0'
写“1”
禁止输入
4
6
10
12
SF00301
注意事项：
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
逻辑图
D0 D1 D2 D3
4
6
10 12
3
数据缓冲区
2
WE
CE
A0
A1
A2
A3
1
15
14
13
解码器
DRIVERS
地址
解码器
16字X
4–bit
记忆细胞
ARRAY
输出缓冲器
5
V
CC
=
PIN码16
GND = 8 PIN
7
9
11
Q0 Q1 Q2 Q3
SF00302
绝对最大额定值
（操作超越极限列于该表中，可能会损害设备的使用寿命。除非另有说明，这些限制是在
工作自由空气的温度范围内。 ）
符号
V
CC
V
IN
I
IN
V
OUT
I
OUT
T
AMB
T
英镑
电源电压
输入电压
输入电流
施加电压输出高输出状态
目前适用于输出低输出状态
工作自由空气的温度范围
存储温度范围
参数
等级
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-30至+5
-0.5到V
CC
48
0至+70
-65到+150
单位
V
V
mA
V
mA
°
C
°
C
1990年02月23日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
64位TTL双极型RAM，反相（三态）
74F189A
推荐工作条件
范围
符号
V
CC
V
IH
V
IL
I
Ik
I
OH
I
OL
T
AMB
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输入钳位电流
高电平输出电流
低电平输出电流
工作自由空气的温度范围
0
参数
民
4.5
2.0
0.8
–18
–3
24
+70
喃
5.0
最大
5.5
单位
T
A
= -40至+85
°
C
V
V
V
mA
mA
mA
°
C
DC电气特性
（在推荐工作的自由空气的温度范围内，除非另有说明。 ）
符号
参数
测试条件
1
民
V
OH
高电平输出电压
V
CC
=最小，V
IL
=最大
V
IH
=最小，我
OH
=最大
V
OL
低电平输出电压
V
CC
=最小，V
IL
=最大
V
IH
=最小，我
OL
=最大
V
IK
I
I
I
IH
I
IL
输入钳位电压
输入电流在最大输入电压
高层次的输入电流
低电平输入电流
OTHERS
CE， WE
I
OZH
I
OZL
I
OS
I
CC
C
IN
C
OUT
抵消输出电流，
高电平电压施加
抵消输出电流，
低电平电压施加
输出短路电流
3
电源电流（总）
输入电容
输出电容
V
CC
=最大，V
I
= 2.7V
V
CC
=最大，V
I
= 0.5V
V
CC
=最大
V
CC
= MAX ， CE = WE = GND
V
CC
= 5V, V
IN
= 2.0V
V
CC
= 5V, V
OUT
= 2.0V
-60
55
4
7
V
CC
=最小，我
I
= I
IK
V
CC
=最大，V
I
= 7.0V
V
CC
=最大，V
I
= 2.7V
V
CC
=最大，V
I
= 0.5V
范围
典型值
2
最大
V
3.4
0.35
0.35
-0.73
0.50
0.50
-1.2
100
20
-0.6
-1.2
50
–50
-150
80
V
V
V
V
单位
±
10%V
CC
±
5%V
CC
±
10%V
CC
±
5%V
CC
2.4
2.7
A
A
mA
mA
A
A
mA
mA
pF
pF
注意事项：
1.对于显示为MIN和MAX的条件下，使用推荐的工作条件下指定适用的类型适当的值。
2.所有典型值是在V
CC
= 5V ，T
AMB
= 25°C.
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。为了测试我
OS
中，使用高速测试装置和/或采样和保持的
技术是优选的，以便最小化内部加热和更准确地反映工作值。否则，长时间短路
高输出可提高芯片的温度远高于正常，从而造成的无效读数等参数的测试。在任何
参数测试序列，我
OS
试验应在最后完成。
1990年02月23日
4
与三态输出54F 74F189 64位的随机存取存储器
1995年8月
54F 74F189 64位随机存取
内存与三态输出
概述
的“ F189是组织为一个高速64位RAM -16-
由4位阵列地址输入字缓冲，以减少
装载和片上的输出是被完全解码三
态并处于高阻抗状态时的
片选（ CS ）输入为高电平时，输出只活跃
在读取模式下，输出数据是的补
所存储的数据
特点
Y
Y
Y
Y
Y
数据总线应用三态输出
缓冲输入负载降至最低
地址译码芯片
二极管钳位输入，减少振铃
采用SOIC （ 300万只）
广告
74F189PC
军事
包
数
N16E
包装说明
16引脚（ 0 300广角）模压双列直插式
16引脚的陶瓷双列直插
16引脚（ 0 150广角）模压小外形JEDEC
16引脚（ 0 300广角）模压小外形EIAJ
16引脚Cerpack
20引脚陶瓷无引线芯片载体C型
54F189DL （注2）
74F189SC （注1 ）
74F189SJ （注1 ）
54F189FL （注2）
54F189LL （注2）
J16A
M16A
M16D
W16A
E20A
注1
也可在13盘使用后缀设备
e
SCX和SJX
注2
军用级设备与环境和老化处理中使用的后缀
e
DLQB FLQB和LLQB
逻辑符号
连接图
引脚分配
对于DIP SOIC和Flatpak
引脚分配
对于LCC
TL F 9493-1
IEEE IEC
TL F 9493 - 2
TL F 9493 - 3
TL F 9493-4
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 9493
RRD - B30M105印制在U S A
订购信息
设备号被用于形成一个简化采购的代码，其中所述包类型和温度范围内是部分
定义如下
74F
温度范围：家庭
74F
e
广告
54F
e
军事
设备类型
封装代码
P
e
塑料DIP
D
e
陶瓷DIP
F
e
Flatpak
L
e
无引线陶瓷芯片载体（ LCC ）
S
e
小外形封装SOIC JEDEC
SJ
e
小外形EIAJ SOIC
189
S
C
X
特殊变化
X
e
设备出货量在13卷轴
QB
e
军工级环境
和老化加工发货
在管
温度范围
C
e
商用（ 0℃至
a
70 C)
L
e
军事（
b
40℃
a
125 C)
物理尺寸
英寸（毫米）
20引脚陶瓷无引线芯片载体（ L）
NS包装数E20A
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
64位TTL双极型RAM，反相（三态）
74F189A
特点
高速性能
替代74F189
地址访问时间：最大为8ns VS 28ns的74F189
功耗： 4.3mW /位
钳位肖特基TTL
一个芯片使能
反相输出（非反相输出看74F219A ）
三态输出
74F189A在150万宽SO是新设计最佳的选择
描述
该74F189A是作为一个16字的高速， 64位RAM
由4位的数组。地址输入端被缓冲以减少加载和
被完全解码芯片上。输出处于高阻抗状态
每当芯片使能（CE ）是高的。输出是活动的唯一
在读模式（WE =高） ，输出的数据是
补充所存储的数据。
典型
供应
当前
（ TOTAL ）
55mA
TYPE
74F189A
典型
ACCESS
时间
5.0ns
订购信息
订货编号
描述
商用系列
V
CC
= 5V
±
10%, T
AMB
= 0
°
C至+70
°
C
16引脚塑料双列直插封装
16引脚塑料小外形封装（ 150mil ）
N74F189AN
N74F189AD
SOT38-4
SOT109-1
图号
输入和输出负载和风扇输出表
引脚
D0 – D3
A0 – A3
CE
WE
Q0 – Q3
数据输入
地址输入
芯片使能输入（低电平有效）
写使能输入（低电平有效）
数据输出
描述
74F （ U.L. ）
HIGH / LOW
1.0/1.0
1.0/1.0
1.0/2.0
1.0/2.0
150/40
负载值
HIGH / LOW
20A/0.6mA
20A/0.6mA
20A/1.2mA
20A/1.2mA
3mA/24mA
注意：
一（ 1.0 ）快速机组负荷的定义是： 20μA的高状态， 0.6毫安在低状态。
引脚配置
A0 1
CE 2
有3个
D0 4
Q0 5
D1 6
Q1 7
GND 8
16 V
CC
15 A1
14 A2
13 A3
12 D3
11 Q3
10 D2
9
Q2
逻辑符号
4
6 10 12
D0 D1 D2 D3
1
15
14
13
2
3
A0
A1
A2
A3
CE
WE
Q0 Q1 Q2 Q3
V
CC
= 16 PIN
GND = 8 PIN
5
7
9
11
SF00299
SF00300
1990年02月23日
2
853–1309 98908
飞利浦半导体
产品speci fi cation
64位TTL双极型RAM，反相（三态）
74F189A
IEC / IEEE符号
1
15
14
13
2
3
1
G1
1 EN [读取]
1 C2 [写]
A,2D
A
5
7
9
11
RAM 16X4
0
0
A
15
功能表
输入
CE
L
L
H
H
WE
H
L
L
X
Dn
X
L
H
X
产量
Q
n
存储补
数据
高
阻抗
高阻抗
高阻抗
操作
模式
读
写'0'
写“1”
禁止输入
4
6
10
12
SF00301
注意事项：
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
逻辑图
D0 D1 D2 D3
4
6
10 12
3
数据缓冲区
2
WE
CE
A0
A1
A2
A3
1
15
14
13
解码器
DRIVERS
地址
解码器
16字X
4–bit
记忆细胞
ARRAY
输出缓冲器
5
V
CC
=
PIN码16
GND = 8 PIN
7
9
11
Q0 Q1 Q2 Q3
SF00302
绝对最大额定值
（操作超越极限列于该表中，可能会损害设备的使用寿命。除非另有说明，这些限制是在
工作自由空气的温度范围内。 ）
符号
V
CC
V
IN
I
IN
V
OUT
I
OUT
T
AMB
T
英镑
电源电压
输入电压
输入电流
施加电压输出高输出状态
目前适用于输出低输出状态
工作自由空气的温度范围
存储温度范围
参数
等级
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-30至+5
-0.5到V
CC
48
0至+70
-65到+150
单位
V
V
mA
V
mA
°
C
°
C
1990年02月23日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
64位TTL双极型RAM，反相（三态）
74F189A
推荐工作条件
范围
符号
V
CC
V
IH
V
IL
I
Ik
I
OH
I
OL
T
AMB
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输入钳位电流
高电平输出电流
低电平输出电流
工作自由空气的温度范围
0
参数
民
4.5
2.0
0.8
–18
–3
24
+70
喃
5.0
最大
5.5
单位
T
A
= -40至+85
°
C
V
V
V
mA
mA
mA
°
C
DC电气特性
（在推荐工作的自由空气的温度范围内，除非另有说明。 ）
符号
参数
测试条件
1
民
V
OH
高电平输出电压
V
CC
=最小，V
IL
=最大
V
IH
=最小，我
OH
=最大
V
OL
低电平输出电压
V
CC
=最小，V
IL
=最大
V
IH
=最小，我
OL
=最大
V
IK
I
I
I
IH
I
IL
输入钳位电压
输入电流在最大输入电压
高层次的输入电流
低电平输入电流
OTHERS
CE， WE
I
OZH
I
OZL
I
OS
I
CC
C
IN
C
OUT
抵消输出电流，
高电平电压施加
抵消输出电流，
低电平电压施加
输出短路电流
3
电源电流（总）
输入电容
输出电容
V
CC
=最大，V
I
= 2.7V
V
CC
=最大，V
I
= 0.5V
V
CC
=最大
V
CC
= MAX ， CE = WE = GND
V
CC
= 5V, V
IN
= 2.0V
V
CC
= 5V, V
OUT
= 2.0V
-60
55
4
7
V
CC
=最小，我
I
= I
IK
V
CC
=最大，V
I
= 7.0V
V
CC
=最大，V
I
= 2.7V
V
CC
=最大，V
I
= 0.5V
范围
典型值
2
最大
V
3.4
0.35
0.35
-0.73
0.50
0.50
-1.2
100
20
-0.6
-1.2
50
–50
-150
80
V
V
V
V
单位
±
10%V
CC
±
5%V
CC
±
10%V
CC
±
5%V
CC
2.4
2.7
A
A
mA
mA
A
A
mA
mA
pF
pF
注意事项：
1.对于显示为MIN和MAX的条件下，使用推荐的工作条件下指定适用的类型适当的值。
2.所有典型值是在V
CC
= 5V ，T
AMB
= 25°C.
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。为了测试我
OS
中，使用高速测试装置和/或采样和保持的
技术是优选的，以便最小化内部加热和更准确地反映工作值。否则，长时间短路
高输出可提高芯片的温度远高于正常，从而造成的无效读数等参数的测试。在任何
参数测试序列，我
OS
试验应在最后完成。
1990年02月23日
4
与三态输出54F 74F189 64位的随机存取存储器
1995年8月
54F 74F189 64位随机存取
内存与三态输出
概述
的“ F189是组织为一个高速64位RAM -16-
由4位阵列地址输入字缓冲，以减少
装载和片上的输出是被完全解码三
态并处于高阻抗状态时的
片选（ CS ）输入为高电平时，输出只活跃
在读取模式下，输出数据是的补
所存储的数据
特点
Y
Y
Y
Y
Y
数据总线应用三态输出
缓冲输入负载降至最低
地址译码芯片
二极管钳位输入，减少振铃
采用SOIC （ 300万只）
广告
74F189PC
军事
包
数
N16E
包装说明
16引脚（ 0 300广角）模压双列直插式
16引脚的陶瓷双列直插
16引脚（ 0 150广角）模压小外形JEDEC
16引脚（ 0 300广角）模压小外形EIAJ
16引脚Cerpack
20引脚陶瓷无引线芯片载体C型
54F189DL （注2）
74F189SC （注1 ）
74F189SJ （注1 ）
54F189FL （注2）
54F189LL （注2）
J16A
M16A
M16D
W16A
E20A
注1
也可在13盘使用后缀设备
e
SCX和SJX
注2
军用级设备与环境和老化处理中使用的后缀
e
DLQB FLQB和LLQB
逻辑符号
连接图
引脚分配
对于DIP SOIC和Flatpak
引脚分配
对于LCC
TL F 9493-1
IEEE IEC
TL F 9493 - 2
TL F 9493 - 3
TL F 9493-4
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 9493
RRD - B30M105印制在U S A
订购信息
设备号被用于形成一个简化采购的代码，其中所述包类型和温度范围内是部分
定义如下
74F
温度范围：家庭
74F
e
广告
54F
e
军事
设备类型
封装代码
P
e
塑料DIP
D
e
陶瓷DIP
F
e
Flatpak
L
e
无引线陶瓷芯片载体（ LCC ）
S
e
小外形封装SOIC JEDEC
SJ
e
小外形EIAJ SOIC
189
S
C
X
特殊变化
X
e
设备出货量在13卷轴
QB
e
军工级环境
和老化加工发货
在管
温度范围
C
e
商用（ 0℃至
a
70 C)
L
e
军事（
b
40℃
a
125 C)
物理尺寸
英寸（毫米）
20引脚陶瓷无引线芯片载体（ L）
NS包装数E20A
5
具有三态输出74F189 64位随机存取存储器
1988年4月
修订后的1999年7月
74F189
具有三态输出的64位随机存取存储器
概述
在F189是作为一个高速64位RAM 16
字由4位的数组。地址输入缓冲，以迷你
程度降低装载和片上被完全解码。输出
是3态并处于高阻抗状态，当时─
以往的片选（ CS ）输入为高电平。的输出是
活性仅在读取模式下，输出的数据是
补充所存储的数据。
特点
s
数据总线应用三态输出
s
缓冲输入负载降至最低
s
地址译码芯片
s
二极管钳位输入，减少振铃
订购代码：
订单号
74F189SC
74F189SJ
74F189PC
包装数
M16B
M16D
N16E
包装说明
16引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 013 ， 0.300 “宽
16引脚小外形封装（ SOP ） ， EIAJ TYPE II ， 5.3毫米宽
16引脚塑料双列直插式封装（ PDIP ） ， JEDEC MS- 001 ， 0.300 “宽
在磁带和卷轴可用的设备也。通过附加后缀“X”的订货代码指定。
逻辑符号
接线图
IEEE / IEC
1999仙童半导体公司
DS009493
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74F189
物理尺寸
英寸（毫米），除非另有说明
16引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS013 ， 0.300 “宽体
包装数M16B
16引脚塑料双列直插式封装（ PDIP ） ， JEDEC MS- OO1 ， 0.300 “宽
包装数N16E
5
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