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ADP3211 ， ADP3211A
C
X（ MIN）的
w
R
O
)
L
DI
O
DI
O
V
OSMAX
*
C
Z
V
VID
（当量15）
C
X（ MAX）的
v
k
2
L
R
o
2
V
V
V
VID
V
ERR
V
V
V
1
)
t
V VID
V
V
k
L
R
o
2
*
1
*
C
Z
其中K
+
1n
（当量16）
为了满足这些表达式和条件
瞬态响应，大宗电容器组的ESR （R
X
)
应小于2倍的下垂电阻R
O
。如果
了C
X（ MIN）的
是大于c的
X（ MAX）的
，系统不
满足VID OTF规范，并且可能需要更少
电感。此外，开关频率可以具有
必须增加，以保持输出纹波。
例如，如果两件22的
MF，
0805尺寸的MLC
电容（C
Z
= 44
MF）
一个VID电压的过程中使用
改变，在V
CCGFX
变化是220毫伏22
ms
与一位
设置为10 mV误差。如果K = 3.1 ，解决了大头
电容收益率：
560 nH的
10毫伏
5.1毫瓦）
8A
对于这种多模式控制技术中，所有的陶瓷
电容器的设计可以如的条件下使用
方程15，16，和18是满意的。
功率MOSFET
C
X（ MIN）的
w
8A
1.174 V
44
mF
+
256
mF
C
X（ MAX）的
v
560 nH的220毫伏
3.1
2
（ 5.1毫瓦）
2
1.174 V
1.174 V 3.1 5.1毫瓦
220 mV的560 nH的
2
对于典型的15 A的应用， N沟道功率
的MOSFET选择一个高侧开关和两个
低侧开关。主要选择参数
功率MOSFET是V
GS （ TH）
, Q
G
, C
国际空间站
, C
RSS
和
R
DS （ ON）
。因为栅极驱动器的电压为5.0 V ，
逻辑电平的阈值的MOSFET必须使用。
最大输出电流I
O
决定了
R
DS （ ON）
对于低侧的要求（同步）
的MOSFET。与导通损耗占主导地位时，
下面的表达式表示的总功率是
消散在每一个同步MOSFET中的条款
每相的纹波电流（I
R
）和平均总输出
电流（I
O
):
P
SF
+
(1
*
D)
I
O
n
SF
2
1)
22
ms
)
1
12
I
R
n
SF
2
（当量19）的
R
DS （ SF ）
1 44
mF
+
992
mF
（当量17）
使用两个220
mF
松下SP的电容器的典型
7毫瓦每ESR产生
X
= 440
mF
和R
X
= 3.5毫瓦。
保证了大容量电容的ESL （L
X
）为低
够以限制高频的负荷时的振铃
改变。这是利用了测试：
L
X
v
C
Z
L
X
v
44
mF
R
O
2
其中：
D为占空比和近似的输出电压
由输入电压分割。
I
R
是电感器的峰 - 峰值的纹波电流和是
大致如下：
I
R
+
(1
*
D） V
OUT
L F
SW
（当量20）的
Q
2
（ 5.1毫瓦）
2
2
+
2.3 nH的
（当量18）的
其中：
Q是限制为2的平方根，以确保一个极为
阻尼系统。
L
X
为约450的pH为2的SP电容器，这是低
够避免负载变化期间振铃。如果设置了L
X
of
所选择的大容量电容器组过大，数
陶瓷电容器，可能需要增加，以防止
过度振荡。
知的最大输出电流，最大
允许功耗，用户可以计算出
所需的R
DS （ ON）
为MOSFET 。对于8引脚SOIC或
8引脚SOIC封装兼容的MOSFET ，路口
环境（PCB）的热阻抗为50℃ / W 。在最坏的
情况下，该印刷电路板的温度是70 ℃至80 ℃的过程中重
笔记本计算机的负荷运行，并且用于P安全极限
SF
is
约0.8 W至1.0 ，在120 ℃的结温W的
因此，对于该示例（ 15最大）时，R
DS （ SF ）
每个MOSFET的是小于18.8毫瓦的低侧
MOSFET。该R
DS （ SF ）
也是在的结温度
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