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ADP3211 ， ADP3211A
地点尽可能靠近
到最近的电感器
R
TH
ADP3211
CSCOMP
+
瑞士信贷第一波士顿
CSREF
16
15
14
R
CS1
C
CS1
R
CS2
向交换节点
R
PH
保持这个路径越短
可能和好了客场
从交换结点线
到V
OUT
SENSE
图34.温度补偿电路值
以下过程与表达式产量值
对于R
CS1
, R
CS2
和R
TH
为（在25℃的热敏电阻值）
一个给定的R
CS
值。
根据其类型1.选择一个NTC使用并
值。因为所需要的值还没有
决定，开始一个值的热敏电阻
接近至R
CS
并具有初始容差的NTC
的5％以上更好。
2.找到NTC的相对电阻值
两个温度。适当的温度
将取决于NTC的类型，但50℃并
90℃已被证实适用于大多数
各类非贸易物的。该电阻值称为A
（A为R
TH
(50°C)/R
TH
（ 25℃） ）和B（ B是
R
TH
(90°C)/R
TH
（25℃ ））。需要注意的是，相对
NTC的价值总是以1为25℃ 。
3.找到R的相对价值
CS
需要对每个
两个温度。相对价值
R
CS
基于改变的所需要的比例，
这是最初假定为0.39 ％/ ℃，在此
例子。的相对值被称为R
1
(r
1
is
1 / （1 + TC
×
(T
1
25 ） ） ）和r
2
(r
2
为1 /（ 1 + TC
×
(T
2
25 ） ） ），其中， TC是0.0039 ，T
1
为50℃ ，
和T
2
是90℃。
4.计算当r的相对值
CS1
, r
CS2
和
r
TH
通过使用下面的等式：
r
CS2
(A
*
B)
A
(1
*
B)
r
1
r
2
*
A
(1
*
B)
r
1
*
B
(1
*
A)
r
2
)
B
(1
*
A)
r
2
*
(A
*
B)
r
1
6.计算值的R
CS1
和R
CS2
通过使用
下面的等式：
R
CS1
+
R
CS
R
CS2
+
R
CS
k
r
CS1
r
CS2
)
(1
*
k)
)
(k
（当量14）的
例如，如果选择了100千瓦的热敏电阻值
在步骤1中，可用的0603尺寸的热敏电阻，其值
接近至R
CS
是威世NTHS0603N04 NTC热敏电阻，
其中有A = 0.3359和B = 0.0771的电阻值。
在步骤4中使用等式河
CS1
是0.359 ，R
CS2
是0.729 ，
和R
TH
是1.094 。的r
TH
产生219千瓦，所以
220千瓦的热敏电阻将是一个合理的选择，
使等于1.005 。最后，R
CS1
和R
CS2
被发现
为72.2千瓦和146千瓦。选择最接近1 ％的电阻
值产生71.5千瓦和147千瓦的选择。
所需的输出解耦处理器和
平台通常建议由英特尔。对于系统
同时含有散装和陶瓷电容器，但是，
以下准则可以是一个有益的补充。
选择陶瓷的数目，并确定总
陶瓷电容（C
Z
） 。这是基于数目和
电容式使用。请记住，最好的位置
把陶瓷电容是插座内;不过，
物理极限内20 0805尺寸的片
插座。其他陶瓷电容一起被放置
插座的外边缘。一种组合陶瓷电容器
40值
mF
50
mF
被推荐的，且通常
10多个组成
mF
或22
mF
电容器。
确保大容量电容的总金额（C
X
）是
其限度内。上限取决于VID
OTF输出电压步进（阶跃电压V
V
在时间t
V
,
用作为V的误差
ERR
） ;下限是根据满足
在给定的最大负载释放的关键电容
负载阶跃，
DI
O
。在IMVP- 6.5的最新版本
规范允许的最大V
CCGFX
冲
(V
OSMAX
）的10毫伏以上的电压VID为
步过负载电流。
C
OUT
选择
r
CS1
+
r
TH
+
(1
*
A)
1
A
*
r
*r
1*r
CS2
1
CS2
（当量12）的
1
1*r
CS2
1
*
r 1
CS1
5.计算R
TH
= r
TH
×
R
CS
，然后选择
热敏电阻提供最接近的值。在
此外，计算基于所述缩放因子k
实际的热敏电阻值的比所用的有关
所计算的1 ：
k
+
R
TH （实际）
R
TH （计算值）
（当量13）的
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