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ADG758/ADG759–SPECIFICATIONS
B版本
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
过渡
突破前先延时，T
D
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
电荷注入
关断隔离
+25 C
–40 C
到+ 85℃
0 V至V
DD
3
4.5
5
0.4
0.8
1.2
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
1
(V
DD
= 5 V
10%, V
SS
= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。 ）
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
测试条件/评论
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 10毫安;
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 10毫安
V
DD
= 5.5 V
V
D
= 4.5 V/1 V, V
S
= 1 V/4.5 V;
测试电路2
V
D
= 4.5 V/1 V, V
S
= 1 V/4.5 V;
测试电路3
V
D
= V
S
= 1 V或4.5 V ，测试电路4
0.75
±
0.3
±
0.75
±
0.75
2.4
0.8
0.005
±
0.1
2
14
25
8
1
14
25
7
12
±
3
–60
–80
–60
–80
55
13
85
42
96
48
0.001
1.0
V
IN
= V
INL
或V
INH
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG758
ADG759
C
D
, C
S
（上）
ADG758
ADG759
电源要求
I
DD
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;测试电路5
V
S1
= 3 V/0 V, V
S8
= 0 V/3 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;测试电路6
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;测试电路7
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;测试电路7
V
S
= 2.5 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;
测试电路8
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路9
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路10
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的;测试电路11
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
启示录
B
