飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
特点
“海沟”
技术
极低的通态电阻
快速开关
稳定的关闭状态特性
高的热循环性能
低热阻
PHP69N03LT ， PHB69N03LT ， PHD69N03LT
符号
d
快速参考数据
V
DSS
= 25 V
I
D
= 69 A
g
R
DS （ ON）
≤
14毫欧（V
GS
= 5 V)
R
DS （ ON）
≤
12毫欧（V
GS
= 10 V)
s
概述
N沟道增强模式的逻辑电平场效应功率在一个塑料封套使用“地沟”技术的晶体管。
非常低的导通电阻和低的开关损耗相结合，使该器件在高的最佳选择
高速电脑主板的直流以直流转换器。
该PHP69N03LT是在SOT78 （ TO220AB ）传统的含铅封装。
该PHB69N03LT是在SOT404表面安装封装。
该PHD69N03LT是在SOT428表面安装封装。
钉扎
针
1
2
3
TAB
描述
SOT78 （ TO220AB ）
TAB
SOT404
TAB
SOT428
TAB
门
漏
1
来源
2
2
漏
1 23
1
3
1
3
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
脉冲栅极 - 源极电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
储存温度
条件
T
j
= 25 °C至175℃下
T
j
= 25 °C至175℃ ;
GS
= 20 k
T
j
≤
150C
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 5 V
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 5 V
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
25
25
±
15
±
20
69
48
240
125
175
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
C
1
这是无法接受的连接的SOT428或SOT404封装管脚2 。
1998年6月
1
启1.400
