飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
特点
“海沟”
技术
极低的通态电阻
快速开关
稳定的关闭状态特性
高的热循环性能
低热阻
PHP69N03LT ， PHB69N03LT ， PHD69N03LT
符号
d
快速参考数据
V
DSS
= 25 V
I
D
= 69 A
g
R
DS （ ON）
≤
14毫欧（V
GS
= 5 V)
R
DS （ ON）
≤
12毫欧（V
GS
= 10 V)
s
概述
N沟道增强模式的逻辑电平场效应功率在一个塑料封套使用“地沟”技术的晶体管。
非常低的导通电阻和低的开关损耗相结合，使该器件在高的最佳选择
高速电脑主板的直流以直流转换器。
该PHP69N03LT是在SOT78 （ TO220AB ）传统的含铅封装。
该PHB69N03LT是在SOT404表面安装封装。
该PHD69N03LT是在SOT428表面安装封装。
钉扎
针
1
2
3
TAB
描述
SOT78 （ TO220AB ）
TAB
SOT404
TAB
SOT428
TAB
门
漏
1
来源
2
2
漏
1 23
1
3
1
3
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
脉冲栅极 - 源极电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
储存温度
条件
T
j
= 25 °C至175℃下
T
j
= 25 °C至175℃ ;
GS
= 20 k
T
j
≤
150C
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 5 V
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 5 V
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
25
25
±
15
±
20
69
48
240
125
175
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
C
1
这是无法接受的连接的SOT428或SOT404封装管脚2 。
1998年6月
1
启1.400
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
热阻
符号参数
R
日J- MB
R
日J-一
热阻结
安装基座
热阻结
到环境
PHP69N03LT ， PHB69N03LT ， PHD69N03LT
条件
分钟。
-
典型值。马克斯。单位
-
60
50
1.2
-
-
K / W
K / W
K / W
SOT78封装，在自由空气
SOT404和SOT428封装，印刷电路板
安装，占用空间最小
-
-
电气特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号参数
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
R
DS （ ON）
g
fs
I
GSS
I
DSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
L
d
L
d
L
s
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安;
T
j
= -55C
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
T
j
= 175C
T
j
= -55C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 175C
正向跨导
V
DS
= 25 V ;我
D
= 25 A
门源漏电流V
GS
=
±5
V; V
DS
= 0 V
零栅压漏
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0 V;
当前
T
j
= 175C
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反馈电容
I
D
= 20 A; V
DD
= 24 V; V
GS
= 10 V
分钟。
25
22
1
0.5
-
-
-
-
12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
-
1.5
-
-
8.5
11
-
25
10
0.05
-
70
9
20
10
50
80
50
3.5
4.5
7.5
1700
480
250
-
-
2
-
2.3
12
14
26
-
100
10
500
-
-
-
20
75
120
75
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
m
m
m
S
nA
A
A
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
nH
nH
nH
pF
pF
pF
V
DD
= 15 V ;我
D
= 25 A;
V
GS
= 10 V ;
G
= 5
阻性负载
测量标签，模具中心
从测得的漏导致的模具中心
（ SOT78封装）
从源铅源测量
焊盘
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
1998年6月
2
启1.400
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
PHP69N03LT ， PHB69N03LT ， PHD69N03LT
反向二极管极限值和特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流
（体二极管）
脉冲电流源（体
二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
分钟。
-
-
I
F
= 25 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 69 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 69 A; -dI
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= -10 V; V
R
= 25 V
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
-
0.95
1.0
65
0.1
69
240
1.2
-
-
-
A
A
V
ns
C
雪崩限值
符号参数
W
DSS
条件
分钟。
-
马克斯。
60
单位
mJ
漏源不重复的我
D
= 25 A; V
DD
≤
15 V;
非钳位电感关断V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
;
T
mb
= 25 C
能源
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
ID％
归一化电流降额
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
） ;条件： V
GS
≥
5 V
1998年6月
3
启1.400
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
PHP69N03LT ， PHB69N03LT ， PHD69N03LT
1000
ID ，漏极电流（ AMPS ）
7514-30
0.06
0.05
RDS （ ON） ，漏源导通电阻（欧姆）
TJ = 25℃
2.6 V
2.8 V
3V
3.2 V
100
RD
N
S（O
)=
V
/
DS
ID
TP = 10我们
100美
1毫秒
0.04
0.03
0.02
0.01
10
DC
10毫秒
100毫秒
10 V
5V
VGS = 15 V
TMB = 25℃
1
1
10
VDS ，漏极 - 源极电压（伏）
100
0
0
10
20
30
ID ，漏极电流（ AMPS ）
40
50
PHP69N03LT
如图3所示。安全工作区
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
第i个J- MB / （K / W）
BUKx55-lv
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
漏极电流ID （ A）
VDS > RDS （ON ）× ID
PHP69N03LT
10
50
1
D=
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
1E+01
40
30
0.1
20
175 C
0.01
10
TJ = 25℃
0.001
1E-07
T
1E-05
1E-03
T / S
1E-01
0
0
1
2
3
栅 - 源电压，V GS （V）的
4
5
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
ID ，漏极电流（ AMPS ）
15V
10 V
5V
PHP69N03LT
TJ = 25℃
3.2 V
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;条件： V
DS
= 25 V ;参数T
j
PHP69N03LT
TJ = 25℃
50
50
跨导， GFS （ S）
VDS > RDS （ON ）× ID
40
40
175 C
30
3V
2.8 V
30
20
20
10
2.6 V
10
2.4 V
VGS = 2.2 V
0
0
1
2
3
4
VDS ，漏极 - 源极电压（伏）
5
0
0
10
20
30
漏极电流ID （ A）
40
50
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
)
1998年6月
4
启1.400
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
PHP69N03LT ， PHB69N03LT ， PHD69N03LT
a
2
30V的TrenchMOS
10000
电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）
9514-30
1.5
西塞
1
1000
0.5
科斯
CRSS
0
-100
-50
0
50
TJ / C
100
150
200
100
0.1
1
10
漏源volage ， VDS （ V）
100
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
)
VGS （ TO ） / V
马克斯。
2
典型值。
1.5
分钟。
1
BUK959-60
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
2.5
15
VGS ，栅源电压（伏）
VDD=24V
ID=20A
TJ = 25℃
PHP69N03LT
10
5
0.5
0
0
-100
-50
0
50
TJ / C
100
150
200
0
10
20
30
40
50
QG ，栅极电荷（ NC）
60
70
80
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
亚阈值传导
图13 。典型导通栅极电荷特性。
V
GS
= F （Q
G
） ;参数V
DS
IF / A
9514-30
1E-01
100
1E-02
2%
典型值
98%
80
1E-03
60
1E-04
40
TJ / C = 175
25
1E-05
20
0
1E-05
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.5
1
VSDS / V
1.5
2
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
图14 。典型的反向二极管电流。
I
F
= F（V
SDS
） ;条件： V
GS
= 0 V ;参数T
j
1998年6月
5
启1.400
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
特点
“海沟”
技术
极低的通态电阻
快速开关
稳定的关闭状态特性
高的热循环性能
低热阻
PHP69N03LT ， PHB69N03LT ， PHD69N03LT
符号
d
快速参考数据
V
DSS
= 25 V
I
D
= 69 A
g
R
DS （ ON）
≤
14毫欧（V
GS
= 5 V)
R
DS （ ON）
≤
12毫欧（V
GS
= 10 V)
s
概述
N沟道增强模式的逻辑电平场效应功率在一个塑料封套使用“地沟”技术的晶体管。
非常低的导通电阻和低的开关损耗相结合，使该器件在高的最佳选择
高速电脑主板的直流以直流转换器。
该PHP69N03LT是在SOT78 （ TO220AB ）传统的含铅封装。
该PHB69N03LT是在SOT404表面安装封装。
该PHD69N03LT是在SOT428表面安装封装。
钉扎
针
1
2
3
TAB
描述
SOT78 （ TO220AB ）
TAB
SOT404
TAB
SOT428
TAB
门
漏
1
来源
2
2
漏
1 23
1
3
1
3
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
脉冲栅极 - 源极电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
储存温度
条件
T
j
= 25 °C至175℃下
T
j
= 25 °C至175℃ ;
GS
= 20 k
T
j
≤
150C
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 5 V
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 5 V
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
25
25
±
15
±
20
69
48
240
125
175
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
C
1
这是无法接受的连接的SOT428或SOT404封装管脚2 。
1998年6月
1
启1.400
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
热阻
符号参数
R
日J- MB
R
日J-一
热阻结
安装基座
热阻结
到环境
PHP69N03LT ， PHB69N03LT ， PHD69N03LT
条件
分钟。
-
典型值。马克斯。单位
-
60
50
1.2
-
-
K / W
K / W
K / W
SOT78封装，在自由空气
SOT404和SOT428封装，印刷电路板
安装，占用空间最小
-
-
电气特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号参数
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
R
DS （ ON）
g
fs
I
GSS
I
DSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
L
d
L
d
L
s
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安;
T
j
= -55C
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
T
j
= 175C
T
j
= -55C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 175C
正向跨导
V
DS
= 25 V ;我
D
= 25 A
门源漏电流V
GS
=
±5
V; V
DS
= 0 V
零栅压漏
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0 V;
当前
T
j
= 175C
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反馈电容
I
D
= 20 A; V
DD
= 24 V; V
GS
= 10 V
分钟。
25
22
1
0.5
-
-
-
-
12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
-
1.5
-
-
8.5
11
-
25
10
0.05
-
70
9
20
10
50
80
50
3.5
4.5
7.5
1700
480
250
-
-
2
-
2.3
12
14
26
-
100
10
500
-
-
-
20
75
120
75
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
m
m
m
S
nA
A
A
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
nH
nH
nH
pF
pF
pF
V
DD
= 15 V ;我
D
= 25 A;
V
GS
= 10 V ;
G
= 5
阻性负载
测量标签，模具中心
从测得的漏导致的模具中心
（ SOT78封装）
从源铅源测量
焊盘
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
1998年6月
2
启1.400
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
PHP69N03LT ， PHB69N03LT ， PHD69N03LT
反向二极管极限值和特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流
（体二极管）
脉冲电流源（体
二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
分钟。
-
-
I
F
= 25 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 69 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 69 A; -dI
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= -10 V; V
R
= 25 V
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
-
0.95
1.0
65
0.1
69
240
1.2
-
-
-
A
A
V
ns
C
雪崩限值
符号参数
W
DSS
条件
分钟。
-
马克斯。
60
单位
mJ
漏源不重复的我
D
= 25 A; V
DD
≤
15 V;
非钳位电感关断V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
;
T
mb
= 25 C
能源
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
ID％
归一化电流降额
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
） ;条件： V
GS
≥
5 V
1998年6月
3
启1.400
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
PHP69N03LT ， PHB69N03LT ， PHD69N03LT
1000
ID ，漏极电流（ AMPS ）
7514-30
0.06
0.05
RDS （ ON） ，漏源导通电阻（欧姆）
TJ = 25℃
2.6 V
2.8 V
3V
3.2 V
100
RD
N
S（O
)=
V
/
DS
ID
TP = 10我们
100美
1毫秒
0.04
0.03
0.02
0.01
10
DC
10毫秒
100毫秒
10 V
5V
VGS = 15 V
TMB = 25℃
1
1
10
VDS ，漏极 - 源极电压（伏）
100
0
0
10
20
30
ID ，漏极电流（ AMPS ）
40
50
PHP69N03LT
如图3所示。安全工作区
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
第i个J- MB / （K / W）
BUKx55-lv
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
漏极电流ID （ A）
VDS > RDS （ON ）× ID
PHP69N03LT
10
50
1
D=
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
1E+01
40
30
0.1
20
175 C
0.01
10
TJ = 25℃
0.001
1E-07
T
1E-05
1E-03
T / S
1E-01
0
0
1
2
3
栅 - 源电压，V GS （V）的
4
5
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
ID ，漏极电流（ AMPS ）
15V
10 V
5V
PHP69N03LT
TJ = 25℃
3.2 V
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;条件： V
DS
= 25 V ;参数T
j
PHP69N03LT
TJ = 25℃
50
50
跨导， GFS （ S）
VDS > RDS （ON ）× ID
40
40
175 C
30
3V
2.8 V
30
20
20
10
2.6 V
10
2.4 V
VGS = 2.2 V
0
0
1
2
3
4
VDS ，漏极 - 源极电压（伏）
5
0
0
10
20
30
漏极电流ID （ A）
40
50
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
)
1998年6月
4
启1.400
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
PHP69N03LT ， PHB69N03LT ， PHD69N03LT
a
2
30V的TrenchMOS
10000
电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）
9514-30
1.5
西塞
1
1000
0.5
科斯
CRSS
0
-100
-50
0
50
TJ / C
100
150
200
100
0.1
1
10
漏源volage ， VDS （ V）
100
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
)
VGS （ TO ） / V
马克斯。
2
典型值。
1.5
分钟。
1
BUK959-60
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
2.5
15
VGS ，栅源电压（伏）
VDD=24V
ID=20A
TJ = 25℃
PHP69N03LT
10
5
0.5
0
0
-100
-50
0
50
TJ / C
100
150
200
0
10
20
30
40
50
QG ，栅极电荷（ NC）
60
70
80
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
亚阈值传导
图13 。典型导通栅极电荷特性。
V
GS
= F （Q
G
） ;参数V
DS
IF / A
9514-30
1E-01
100
1E-02
2%
典型值
98%
80
1E-03
60
1E-04
40
TJ / C = 175
25
1E-05
20
0
1E-05
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.5
1
VSDS / V
1.5
2
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
图14 。典型的反向二极管电流。
I
F
= F（V
SDS
） ;条件： V
GS
= 0 V ;参数T
j
1998年6月
5
启1.400
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