BDxxIC0WEFJ / BDxxIC0WHFV
数据表
热设计应确保满足以下条件范围内操作。需要注意的是所列出的温度在允许的
温度限制和热设计应留有充分的余量超出这些限制。
1.环境温度Ta不能超过85 ℃。
2.芯片结温（Tj ）不能超过150 ℃。
芯片结温可如下确定：
根据环境温度的计算（ Ta）的
TJ = TA + θJ -A ×P
参考
值\u003e
θj-a：HTSOP-J8
153.2℃/W
113.6℃/W
59.2℃/W
33.3℃/W
1层基板（铜箔密度0毫米× 0毫米）
2层基材（铜箔密度型15mm x 15mm ）
2层基材（铜箔密度70毫米X30 70毫米）
4层基板（铜箔密度70毫米X30 70毫米）
基板尺寸： 70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米（基板与散热孔）
大多数发生在BDxxIC0W系列的热损失从输出P沟FET的生成。功率损耗由下式确定
总V
CC
-V
O
电压和输出电流。务必确认该系统的输入和输出电压以及输出电流
相对于V形的散热特性的条件
CC
和V
O
在设计中。铭记散热
可能会发生变化基本上取决于使用的（由于在BDxxIC0W并入电源包在基板上
系列）使某些在要素如基板尺寸为热设计条件。
×I
O
（ AVE ）
功耗[W] =
输入电压（V
CC
） - 输出电压（V
O
)
例） V
CC
=3.3V, V
O
= 2.5V ，我
O
（ AVE） = 0.1A
功耗[W] =
3.3V - 2.5V
=0.08[W]
×0.1A
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21.Dec.2012 Rev.002
