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K4N26323AE-GC
DM功能
128M GDDR2 SDRAM
在DDR SDRAM的具有数据屏蔽功能，可用于结合数据写周期只，不读周期。
当数据面膜写操作过程中激活（ DM高）写数据立即（ DM蒙面数据面罩
潜伏期是零） 。
必须在上升沿或数据选通脉冲的下降沿，而不是一个时钟边缘发出的DM 。
0
CK ， CK
1
2
3
4
5
6
9
CMD
的DQ
中科院发布
写一个
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
一个预充电
WL = 2
t
WR
= 5
DINA
0
DINA1
DINA
2
DINA
3
DQ的
DM
通过DM = H屏蔽
自动预充电操作
前有效的银行新行可以打开，有效的银行必须用预充电预充电
命令或自动预充电功能。当读或写命令是考虑到GDDR2 SDRAM ，中国科学院
定时接受一个额外的地址，列地址A8 ，让活跃的银行在自动开始预充电
在突发读取或写入周期尽可能早的时刻。如果A8为低电平时，读或写命令是
发行，再进行正常读取或写入执行突发操作，银行在完成的仍然有效
爆序列。如果A8高的读或写命令发出时，则自动预充电功能时。
此功能允许预充电操作过程中的突发读周期被部分或完全隐藏（依赖
根据CAS等待时间），从而提高了对随机数据存取系统的性能。在RAS锁定电路内部
迟迟的预充电操作，直到阵列恢复操作已经完成，以使自动预充电的COM
普通话可以与任何读或写命令发出。
自动预充电也可以在写命令执行。通过自动预充电从事预充电操作
命令将不会开始，直到突发写入序列的最后数据被正确存储在存储器阵列中。
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修订版1.7 （ 2003年1月）
