K4N26323AE-GC
扩展模式寄存器设置（ EMRS ）
128M GDDR2 SDRAM
扩展模式寄存器存储数据输出驱动强度和片上终端选项。该
扩展模式寄存器写的是主张低CS ， RAS ， CAS，WE和高的BA0 （的GDDR2
SDRAM应在所有银行预充电与CKE已写入的扩展模式寄存器前高
之三） 。地址引脚的状态A0 A11和BA0在同一周期为CS， RAS ， CAS和WE变低的
写在扩展模式寄存器。四个时钟周期内必须完成的写操作
扩展模式寄存器。 8种输出驱动强度是由EMRS （A9 ，A8， A7）编码的支持。该
模式寄存器的内容可以使用相同的命令和时钟周期的要求在操作期间改变
和灰，只要所有银行都处于闲置状态。 "High"上BA0用于EMRS 。请参阅下表为具体
码。
地址总线
EXTENDED
模式寄存器
BA
1
BA
0
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
0
1
0
ODT.R
输出驱动强度
DLL
的DQ
A.L
ODT控制
ODT选项
DLL
*1
BA
0
0
1
A
n
~ A
0
太太
EMRS
的DQ
*2
A
5
的DQ @ RD的ODT
A
10
0
1
模式
ON
关闭
附加延迟
A
4
0
1
潜伏期
0
1
0
1
的DQ
迪FF erential
单身
A
6
0
1
DLL
DLLOFF
DLLON
片上终端选项
*1
对于CMD & ADDR
A
1
0
0
1
1
A
0
0
1
0
1
价值
关闭
X1
X2
X4
关：片上终端的CMD
和ADDR引脚上的DRAM已关闭
X1 ：片上的终止值
CMD和ADD引脚都一样
DQ的价值
X2 ： 2次
DQ的价值
X4 ： 4次
DQ的价值
输出驱动强度选项
A
9
0
0
0
0
1
1
1
1
A
8
0
0
1
1
0
0
1
1
A
7
0
1
0
1
0
1
0
1
罗恩[欧]
60
55
50
45
40
35
30
25
片上终端模式
*1
A
3
0
0
1
1
A
2
0
1
0
1
价值
ODT关闭
ODT校准。 ON
Rterm=60
Rterm=120
* 1 。 DLL控制， ODT控制和ODT选项命令应该在低频率时钟（ <100Mhz ）与TIS发行/ TIH = 0.5tCK
* 2 。当选择单DQS ， 4 / DQS引脚应连接到VREF 。
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修订版1.7 （ 2003年1月）
