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ADP150
应用信息
电容的选择
输出电容
该ADP150是专为运行具有体积小，节省空间
陶瓷电容器，但功能与最常用的
电容器只要小心就有效
串联电阻（ESR ）的值。输出电容器的ESR
影响LDO控制环路的稳定性。最小为1 μF
电容为1 Ω或更小的ESR建议
确保ADP150的稳定性。到的瞬时响应
负载电流变化也受输出电容。
利用输出电容的一个较大的值改善瞬态
响应的ADP150到大的变化的负载电流。
图27和图28示出用于输出瞬态响应
分别为1 μF和4.7 μF ，电容值。
T
数据表
输入和输出电容特性
任何优质陶瓷电容器可用于与ADP150 ，
只要满足最小电容和最大
ESR的要求。陶瓷电容器用制造
各种电介质，每个随温度不同的行为
与施加的电压。电容器必须具有电介质足以
确保在必要的温度的最小电容
范围和直流偏置条件。 X5R或X7R电介质与
6.3 V或10 V额定电压建议。 Y5V和Z5U
电介质是不推荐的，因为它们的差的温度
和直流偏置特性。
图29描述了电容与电压偏置特性
一个0402 ， 1 μF ， 10 V ， X5R电容。的电压稳定性
电容器由电容器的尺寸和电压的强烈影响
投资评级。通常，在一个较大的封装的电容器或更高的电压
评级具有更好的稳定性。该X5R的温度变化
介质为± 15 ％ ，工作在-40 ° C至+ 85 ° C的温度
的范围内，而不是包或电压等级的函数。
1.2
I
OUT
1毫安150mA的负载阶跃
1
1.0
2
电容（ μF ）
V
OUT
0.8
0.6
V
IN
= 3.7V
V
OUT
= 3.3V
CH1 100毫安
CH2为50mV
M1.0s
A CH1信
T
716.000s
100mA
08343-126
0.4
图27.输出瞬态响应，C
OUT
= 1 F
T
0.2
0
2
4
6
8
10
偏置电压（ V）
I
OUT
1毫安150mA的负载阶跃
1
图29.电容与电压偏置特性
利用式1来确定最坏情况下的电容，
占电容随温度变化，分量
宽容和电压。
V
OUT
2
C
EFF
=
C
BIAS
× (1
温度系数）
× (1
TOL ）
V
IN
= 3.7V
V
OUT
= 3.3V
08343-100
0
(1)
CH1 100毫安
CH2为50mV
M1.0s
A CH1信
T
240.000ns
108mA
08343-127
其中：
C
BIAS
是在工作电压的有效电容。
温度系数
是最坏情况下的电容温度系数。
托尔
是最坏情况下的元件容差。
在这个例子中，最坏情况下的温度系数（ TEMPCO ）
在-40 ℃至+ 85 ℃，假定是对一个X5R电介质的15％。
电容器（ TOL）的公差被假定为10％ ，并
了C
BIAS
为0.94 μF的在1.8 V时，如图29 。
公式中的这些值代1收益率
C
EFF
= 0.94 F × (1 0.15) × (1 0.1) = 0.719 F
因此，本例中选择的电容器满足
该LDO在温度最低电容的要求
和宽容在选定的输出电压。
图28.输出瞬态响应，C
OUT
= 4.7 F
输入旁路电容
从连接VIN 1 μF的电容到地降低了
电路灵敏度的PCB布局，特别是在长输入
走线或高信号源阻抗遇到。如果大于
1 μF输出电容的要求，增加输入电容
相匹配的输出电容器。
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