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ADP124/ADP125
应用信息
电容的选择
输出电容
该ADP124 / ADP125是设计成运行时小，
节省空间的陶瓷电容器，但这些装置可以起到
与如小心地最常用的电容器，只要
确保适当的有效串联电阻（ESR）的值。该
输出电容的ESR会影响LDO控制的稳定性
循环。最低0.70 μF电容为1 Ω或ESR
建议较少，以确保ADP124 / ADP125的稳定性。
变化的瞬态响应中的负载电流也受
输出电容。利用输出电容的一个较大的值
提高了ADP124 / ADP125向瞬态响应
动态变化的负载电流。图30和图31展示
为1 μF输出电容值的瞬态响应和
4.7 μF ，分别。
I
OUT
1mA至500mA的负载电流STEP
1
数据表
输入旁路电容
连接1 μF电容VIN至GND降低电路
灵敏度到印刷电路板（PCB）的布局，特别是
当长输入走线或高信号源阻抗遇到。
如果大于1 μF输出电容的要求，输入
电容应增加与之相匹配。
输入和输出电容特性
任何优质陶瓷电容器可与使用
ADP124 / ADP125 ，只要电容器满足最低
电容和最大ESR要求。陶瓷电容器
与各种各样的电介质，每个都有不同的制
行为随温度和施加的电压。电容必须
具有足够的介电，以确保最小电容
在必要的温度范围和直流偏置条件。
使用X5R或X7R电介质为6.3 V或额定电压
10 V建议。然而，使用Y5V和Z5U电介质
不建议任何LDO ，由于其恶劣的温度
和直流偏置特性。
图32描述了电容与电容电压偏置字符
的0402开创性意义， 1 μF ， 10 V X5R电容。电压稳定
电容器由电容器大小和影响很大
额定电压。在一般情况下，在一个较大的包装或电容器
更高的额定电压具有更好的稳定性。温度
X5R电介质的变化为± 15 ％ ，工作在-40 ° C至
+ 85°C的温度范围内，而不是包的函数或
额定电压。
1.10
1.05
1.00
2
V
OUT
V
IN
= 4V
V
OUT
= 3.3V
CH1
500毫安Ω
BW
CH2 50.0mV
B
W
M400ns一个CH1
T
13.20%
200mA
图30.输出瞬态响应，C
OUT
= 1 F
电容（ μF ）
0.95
0.90
0.85
0.80
08476-030
I
OUT
1mA至500mA的负载电流STEP
1
08476-028
0.75
2
V
OUT
0.70
0
1
2
3
4
偏置电压（ V）
5
6
7
08476-029
V
IN
= 4V
V
OUT
= 3.3V
CH1
500毫安Ω
BW
CH2 50.0mV
B
图32.电容与电容电压偏置特性
W
M400ns一个CH1
T
13.60%
200mA
图31.输出瞬态响应，C
OUT
= 4.7 F
等式1可以被用来确定最坏情况下的电容，
占电容随温度变化，分量
宽容和电压。
C
EFF
=
C
× (1
温度系数）
× (1
TOL ）
其中：
C
EFF
是在工作电压的有效电容。
C
为额定电容值。
温度系数
是最坏情况下的电容温度系数。
托尔
是最坏情况下的元件容差。
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