FDFM2P110集成的P沟道PowerTrench
MOSFET和肖特基二极管
2005年4月
FDFM2P110
集成的P沟道PowerTrench
MOSFET和肖特基二极管
特点
■
-3.5 A， -20 V R
DS （ ON）
= 140 m
@ V
GS
= –4.5 V
R
DS （ ON）
= 200 m
@ V
GS
= –2.5 V
■
低廓 - 0.8毫米最大 - 在新包
的MicroFET 3×3毫米
概述
FDFM2P110结合飞兆半导体的卓越性能
PowerTrench MOSFET的技术，以非常低的正向电压
降肖特基势垒整流器器的的MicroFET封装。
这个装置是专具体来说作为一个单一封装解决方案
为DC至DC转换器。它的特点是快速切换，低门
充电MOSFET具有极低的导通电阻。
应用
■
DC-DC变换器
销1
1
2
3
6
5
4
顶部
底部
MLP 3x3的
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
V
RRM
I
O
P
D
T
J
, T
英镑
R
θ
JA
R
θ
JA
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
肖特基重复峰值反向电压
肖特基平均正向电流
功率耗散（稳态）
（注1A ）
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
（注1A ）
参数
评级
–20
±
12
–3.5
–10
20
2
2.4
1.2
-55到+150
单位
V
V
A
V
A
W
°
C
°
C / W
热特性
热阻，结到环境
热阻，结到环境
（注1A ）
（注1B ）
60
145
包装标志和订购信息
器件标识
2P110
设备
FDFM2P110
带尺寸
7"
胶带宽度
12mm
QUANTITY
3000台
2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FDFM2P110牧师C2
