FDFM2P110集成的P沟道PowerTrench
MOSFET和肖特基二极管
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
开关特性
BV
DSS
BV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
漏源击穿电压
击穿电压温度
COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
门体漏
V
GS
= 0 V，I
D
= –250
A
I
D
= –250
A，参考25
°
C
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±
12 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
A
I
D
= –250
A，参考25
°
C
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –3.5 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –3.0 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -3.5A ，T
J
= 125
°
C
V
GS
= –2.5 V, V
DS
= –5 V
V
DS
= -5 V，I
D
= –3.5 A
V
DS
= –10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
–10
6
–0.6
–1.0
3
101
145
136
140
200
202
–20
–11
–1
±
100
–1.5
V
毫伏/
°
C
A
nA
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
毫伏/
°
C
m
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
V
R
I
R
V
F
A
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
DD
= -10 V，I
D
= –1 A,
V
GS
= -4.5 V ，R
根
= 6
280
65
35
7
pF
pF
pF
16
22
20
6.4
4
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
开关特性
（注2 ）
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= -10 V，I
D
= –3.5 A,
V
GS
= –4.5 V
8
12
11
3.2
3
0.7
1
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压V
GS
= 0 V，I
S
= –2 A
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
I
F
= –3.5 A,
dI
F/
DT = 100 A / μs的
（注2 ）
–0.9
13
3
–2
–1.2
A
V
nS
nC
肖特基二极管特性
反向电压
反向漏
I
R
= 1毫安
V
R
= 5 V
I
F
= 1 A
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
正向电压
T
J
= 25°C
0.32
20
100
10
0.39
V
A
mA
V
2
FDFM2P110牧师C2
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