CY7C1351G
勘误表
本节介绍Ram9同步/ NOBL ZZ引脚JTAG和芯片使能的问题。细节包括触发条件，该装置
受此影响，提出了解决办法和硅修订的适用性。如果你有，请联系您当地的赛普拉斯销售代表
进一步的问题。
部分受影响的数
密度&修订
4MB - Ram9 NOBL 静态存储器： CY7C135 * G
套餐类型
所有的包
工作范围
商用/
产业
产品状态
所有的Ram9 4Mb的同步/ NOBL系列器件均为合格，并批量供货。
Ram9同步/ NOBL ZZ引脚问题勘误汇总
下表定义了适用于现有Ram9 4Mb的同步/ NOBL系列器件的勘误表。
项
1.
问题
ZZ引脚
描述
当置为高电平时， ZZ引脚的地方
装置中的“睡眠”状态与数据完整性
preserved.The ZZ引脚目前没有
内部下拉电阻，因此
不能悬空外部用户
在操作的正常模式。
设备
4M - Ram9 （ 90纳米）
修复状态
为4M Ram9 （ 90纳米）
设备，没有计划修复
这个问题。
1. ZZ引脚问题
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问题定义
仅当设备在正常模式下与ZZ销悬空被操作时发生该问题。对SRAM的管脚ZZ
设备不具有内部下拉电阻。开关噪声在系统中可能导致的SRAM来识别高
在ZZ的输入，这可能导致对SRAM进入睡眠模式。这可能导致的不正确的或不期望的操作
SRAM 。
触发条件
设备与ZZ引脚操作悬空。
范围的影响
当ZZ引脚悬空，该器件可提供不正确的数据。
解决方法
外部扳平ZZ引脚接地。
修复状态
修复是为72MB RAM9同步SRAM和72M RAM9 NOBL的SRAM器件完成。固定装置有一个新的
修订版。下表列出了受影响的设备和修复后的新版本。
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文件编号： 38-05513牧师* M
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