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1GB M-死DDR2 SDRAM
速率等级时序参数
（参见注释底部与此相关的表信息）
参数
符号
DDR2-533
民
DQ输出访问时间
从CK / CK
DQS输出访问
从CK / CK时间
CK高电平宽度
CK低电平宽度
CK半期
TAC
-500
DDR2 SDRAM
DDR2-400
民
-600
单位
笔记
最大
+500
最大
+600
ps
tDQSCK
-450
+450
-500
+500
ps
总胆固醇
TCL
THP
0.45
0.45
分（ TCL
， TCH）
3750
225
0.55
0.55
x
0.45
0.45
分（ TCL
， TCH）
5000
275
0.55
0.55
x
TCK
TCK
ps
20,21
时钟周期，CL = X
DQ和DM输入保持
时间
DQ和DM输入
建立时间
控制&地址
输入脉冲宽度为
每个输入
DQ和DM输入
脉冲宽度为每个
输入
数据输出高
从阻抗时间
CK / CK
DQS的低阻抗
从CK / CK时间
DQ低阻抗
从CK / CK时间
DQS -DQ歪斜
DQS和相关
DQ信号
DQ举行倾斜因子
DQ / DQS输出保持
从DQS时间
写命令到第一
DQS闭锁过渡
DQS投入高脉冲
宽度
DQS输入低脉冲
宽度
DQS下降沿到
CK建立时间
DQS下降沿保持
从CK时间
TCK
TDH （基峰）
8000
x
8000
x
ps
ps
24
15,16,
17,20
15,16,
17,21
TDS （基地）
100
x
150
x
ps
tIPW
0.6
x
0.6
x
TCK
tDIPW
0.35
x
0.35
x
TCK
太赫兹
x
TAC
最大
x
TAC
最大
ps
TLZ （ DQS ）
TAC
民
2 * TAC
民
x
TAC
最大
TAC
最大
300
TAC
民
2 * TAC
民
x
TAC
最大
TAC
最大
350
ps
27
TLZ （DQ）
ps
27
TDQSQ
ps
22
TQHS
tQH
x
THP -
TQHS
-0.25
400
x
x
THP -
TQHS
-0.25
450
x
ps
ps
21
tDQSS
0.25
0.25
TCK
tDQSH
0.35
x
0.35
x
TCK
tDQSL
0.35
x
0.35
x
TCK
TDSS
0.2
x
0.2
x
TCK
tDSH
0.2
x
0.2
x
TCK
第19页29
Rev.1.1 2005年1月
