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1GB M-死DDR2 SDRAM
强迫症的默认特征
描述
输出阻抗
输出阻抗步
大小OCD校准
上拉和下拉
不匹配
输出压摆率
SOUT
参数
民
12.6
0
0
1.5
喃
18
最大
23.4
1.5
4
5
单位
欧
欧
欧
V / ns的
DDR2 SDRAM
笔记
1,2
6
1,2,3
1,4,5,6,7,8
注意事项：
1.绝对指标（0°C
≤
T
例
≤
+ 95°C ; VDD = + 1.8V ± 0.1V ， VDDQ = + 1.8V ± 0.1V ）
输出源的直流电流2.阻抗测量条件： VDDQ = 1.7V ; VOUT = 1420mV ;
（ VOUT - VDDQ ） / IOH必须小于23.4欧姆VOUT的VDDQ和VDDQ-之间的值
280MV 。输出汇直流电流阻抗测量条件： VDDQ = 1.7V ; VOUT = 280MV ;
VOUT /人工晶体必须小于23.4欧姆VOUT的0V和280MV之间的值。
3.不匹配时之间的上拉和下拉的dn绝对值，两者都在相同的温度下测得的，并
电压。
4.压摆率从V测
IL
（交流）到V
IH
交流（AC） 。
5.摆率作为从直流测量到直流的绝对值等于或大于所述压摆率
从测量交流交流。这是通过设计和特性保证。
6.这代表当OCD接近18欧姆，在整个过程中都标称条件和步长
仅代表DRAM的不确定性。
输出压摆率负载：
V
TT
25欧姆
产量
(V
OUT ）
参考
点
7. DRAM输出斜率规范适用于400MB /秒/引脚和533MB /秒/针速度垃圾箱。
8.定时偏移是由于DQS / DQS和相关DQ之间，以DRAM输出压摆率不匹配
包括TDQSQ和TQHS规范。
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Rev.1.1 2005年1月
