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BDxxKA5系列BDxxKA5W系列
BD00KA5W系列
数据表
ΔVO
终奌站
请务必附上V之间的反振荡电容
o
和GND 。
ESR （ Ω
)
100
振荡区
発振領域
10
OUT
IC
ESR（ Ω ）
稳定区
安定領域
1μF
1
VCC
CIN
VCC
1μF
OUT 1μF
ESR
CTL GND ADJ R2
木卫一（R
OUT
)
R1
0.
1
V
CTL
2V
R1=30kΩ,R2=2kΩ
0.
01
0
100
200
300
I
IO（毫安）
出米A）
(
400
500
图24输出等效电路
图25 ESR-木卫一特点
确保将输出端子和GND之间的抗振荡电容器。振荡时可能出现的
电容值的变化，由于各种因素，如温度的变化。 1μF电容与小型内部串联电阻
（ ESR）的诸如陶瓷电容器，推荐作为抗振荡电容器。陶瓷电容一般有
良好的温度特性和直流旁路特性。当选择一个陶瓷电容，高电压
电容器（良好的直流旁路特性）与温度特性均优于X5R或X7R的，是
推荐使用。在应用中，输入电压和负载的波动是快速的，请决定后的电容器
根据其在实际应用中足够的规格确定其属性。
120
率变化的静电容量的（％）
率变化的静电容量的（％）
50V最大输入
120
50V最大输入
率变化的静电容量的（％）
120
100
100
100
静電容量変化率(%)
静電容量変化率(%)
80
80
静電容量変化率(%)
16V最大输入
80
Y5V
X7R
X5R
60
16V最大输入
10V最大输入
60
10V最大输入
60
40
40
40
Vdc=0
20
20
20
0
0
1
2
3
4
0
0
1
2
3
4
0
-25
0
25
50
75
直流バイアス直流电压（V ）
(a)
电容旁路
特性（ Y5V ）
DC旁路直流电压（V ）
DC旁路直流电压（V ）
直流バイアス直流电压（V ）
温度（ ℃ ）
温度（ ℃ ）
（二）电容旁路
characteristics（X5R,X7R）
（C）的电容 - 温度
characteristics（X5R,X7R,Y5V）
陶瓷电容图26一般特性
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TSZ22111½15½001
11/15
TSZ02201-0R6R0A600150-1-2
26.Jun.2012 Rev.001
