位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1494页 > ADSP-TS101SAB2Z100 > ADSP-TS101SAB2Z100 PDF资料 > ADSP-TS101SAB2Z100 PDF资料2第36页

ADSP-TS101S
25
强度7
(V
DD_IO
= 3.3V)
上升和下降时间( NS )
确保吨
例
数据表规格不超过一个
散热器和/或空气流源可被使用。看
表33
和
表34
热数据。
表33.热特性
对于19毫米
19毫米套餐
参数
JA1
条件
气流
2
= 0米/秒
气流
3
= 1米/秒
气流
3
= 2m / s的
典型
16.6
14.0
12.9
6.7
5.8
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
20
15
10
上升时间
Y = 0.0907x + 1.0071
5
下降时间
Y = 0.09X + 0.3134
JC
JB
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
负载电容(PF )
图39.典型输出上升时间和下降时间( 10 % -90 % ,V
DD_IO
= 3.3 V)
与负载电容力量7
参数的确定是依赖于系统,并基于若干
因素,包括设备的功耗,封装热阻,板
热特性,环境温度和空气流。
2
每使用四层板(符合JEDEC JEDEC JESD51-2程序
JESD51-9).
3
每半测试方法G38-87使用四层板(符合JEDEC
JESD51-9).
15
强度0-7
(V
DD_IO
= 3.3V)
0
表34.热特性
对于27毫米
27毫米套餐
参数
JA1
条件
气流
2
= 0米/秒
气流
3
= 1米/秒
气流
3
= 2m / s的
典型
13.8
11.7
10.8
3.1
5.9
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
输出有效( NS )
10
1
2
3
4
5
5
6
7
1
JC
JB
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
负载电容(PF )
图40.典型的输出有效(V
DD_IO
= 3.3 V )与负载电容最大
外壳温度和强度0-7
1
1
参数的确定是依赖于系统,并基于若干
因素,包括设备的功耗,封装热阻,板
热特性,环境温度和空气流。
2
每使用四层板(符合JEDEC JEDEC JESD51-2程序
JESD51-9).
3
每半测试方法G38-87使用四层板(符合JEDEC
JESD51-9).
有效的与负载电容线方程为输出如下:
强度0 :Y = 0.0956x + 3.5662
强度1 :Y = 0.0523x + 3.2144
力量2 :Y = 0.0433x + 3.1319
实力3 :Y = 0.0391x + 2.9675
实力4 :Y = 0.0393x + 2.7653
强度5 :Y = 0.0373x + 2.6515
强6 :Y = 0.0379x + 2.1206
强7 :Y = 0.0399x + 1.9080
环境条件
在ADSP -TS101S的额定性能在扩展
商业级温度范围,T
例
= -40 ° C至+ 85°C 。
热特性
在ADSP -TS101S封装在一个19毫米
19毫米和
27 mm
27毫米塑料球栅阵列( PBGA ) 。该
ADSP -TS101S指定的外壳温度(T
例
) 。对
版本C |
第36页48 |
2009年5月