A3977
微DMOS驱动器与翻译
功能说明（续）
固定关断时间。
内部PWM电流控制
电路使用一个单触发控制时间的驱动
保持关闭状态。一拍关断时间，T
关闭
，由下式确定
外部电阻R上的选择（
T
）和电容（C
T
)
从RC计时终端连接到地面。在场外
时，在一定范围内的C值的
T
= 470 pF至1500 pF和
R
T
= 12 kΩ到100 kΩ的近似为：
t
关闭
= R
T
C
T
RC消隐。
除了
固定的关断时间的
PWM控制电路中，C
T
组件设置compara-
器消隐时间。这个功能空白的输出
当输出由切换电流检测比较
内部电流控制电路。比较器输出
看跌期权是空白，以防止假过流检测，由于
扭转钳位二极管的恢复电流，和/或
切换相关的负载的电容瞬变。
空白时间t
空白
可以近似由：
t
空白
= 1400C
T
电荷泵。 （ CP
1
和CP
2
).
电荷泵是
用于产生栅极供给大于Vout
BB
开车
源端DMOS门。 0.22
μF
陶瓷电容器
应连接CP之间
1
和CP
2
抽水
的目的。 0.22
μF
陶瓷电容器之间需要
V
CP
和V
BB
作为一个储存器来操作的高侧
DMOS器件。
V
REG
.
这种内部产生的电压用于操作
水槽边DMOS输出。在V
REG
终端应
可以用0.22解耦
μF
电容接地。 V
REG
is
内部监测和故障状态的情况下，
该装置的输出被禁止。
使能输入（ ENABLE ） 。
此低电平输入使能
所有的DMOS输出。当逻辑高电平的输出是
禁用。输入到转换器（ STEP ，方向，
MS
1
，女士
2
）是启用所有活动无关
输入状态。
关机。
在出现故障的情况下（过大的结
温度，或伏的低电压
CP
）的输出
设备被禁用，直到故障排除为止。在
电，并在低Ⅴ的事件
DD
，欠压
锁定（UVLO ）电路将禁用驱动器和复位
翻译到HOME状态。
睡眠模式（休眠） 。
采用低电平有效控制输入
以在不使用时使功耗最小。这
禁用多的内部电路包括输出
DMOS ，调节器，和电荷泵。逻辑高电平使
正常的操作和在设备启动在家庭
位置。当走出睡眠模式，等待
发出STEP命令允许充电前1毫秒
泵（栅极驱动）来稳定。
％的快速衰减输入（ PFD ） 。
当阶跃输入
信号命令从以前的一个较低的输出电流
步，切换输出电流衰减要么慢，
快或混合衰减取决于在该电压电平
PFD输入端。如果在PFD输入端的电压大于
0.6 V
DD
然后缓慢衰变模式被选择。如果电压
PFD输入低于0.21 V
DD
然后快速衰减
模式被选择。混合衰减是这两个水平之间。
这个终端应使用0.1去耦
μF
电容。
混合衰减操作。
如果在PFD IN-的电压
看跌期权是0.6V之间
DD
和0.21V
DD
，大桥将能操作
在混合衰减模式连吃根据步骤顺序
（见
居雷什） 。由于触发点到达时，设备会
进入快速衰减模式，直到在RC termi-电压
最终衰减到施加于PFD端的电压。该
一次设备工作在快速衰减近似
方式：
t
FD
= R
T
C
T
在（ 0.6V
DD
/V
PFD
)
这种快速衰减部分后，T
FD
，该设备将
切换到慢衰减模式的的余数
固定的
关断时间周期。
器Allegro MicroSystems ， LLC
115东北托夫
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 U.S.A.
1.508.853.5000 ; www.allegromicro.com
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