AP95T08GP
初步
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
导通电阻的降低
▼
快速开关特性
▼
符合RoHS
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
80V
7mΩ
80A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师
快速切换的最佳组合，
坚固耐用的设备设计，低
导通电阻和成本效益。
在TO- 220封装普遍首选的所有commercial-
产业
动力
应用和适合于低电压
应用
诸如DC / DC转换器。
G
D
TO-220(P)
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
3
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
80
±20
80
70
320
300
2
-55至175
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
0.5
62
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200606071pre-1/4
