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AP95T08GP
初步
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
导通电阻的降低
▼
快速开关特性
▼
符合RoHS
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
80V
7mΩ
80A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师
快速切换的最佳组合，
坚固耐用的设备设计，低
导通电阻和成本效益。
在TO- 220封装普遍首选的所有commercial-
产业
动力
应用和适合于低电压
应用
诸如DC / DC转换器。
G
D
TO-220(P)
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
3
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
80
±20
80
70
320
300
2
-55至175
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
0.5
62
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200606071pre-1/4
AP95T08GP
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=1mA
分钟。
80
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
分钟。
-
-
-
典型值。
-
0.06
-
-
56
-
-
-
93
26
42
23
96
39
65
850
360
典型值。
-
72
170
MAX 。单位
-
-
7
5
-
10
100
±100
150
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
GS
= 10V ，我
D
=60A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=60A
V
DS
=80V, V
GS
=0V
V
DS
=64V ,V
GS
=0V
V
GS
= ±20V
I
D
=40A
V
DS
=64V
V
GS
=10V
V
DS
=40V
I
D
=40A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=1Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
测试条件
I
S
= 60A ，V
GS
=0V
I
S
= 40A ，V
GS
=0V
dI/dt=100A/s
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
4450 7120
源极 - 漏极二极管
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
nC
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
3.包装限制电流为80A ，计算连续电流
基于最大允许结温为142A 。
本产品对静电敏感的，请小心处理。
本产品已合格的消费市场。应用或使用AS严格标准组件生命支持
设备或系统都没有授权。
2/4
AP95T08GP
240
120
T
C
= 25 C
200
o
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
10 V
9.0 V
8.0 V
7.0 V
T
C
= 1 75
o
C
100
10V
9.0V
8.0V
7.0V
V
G
= 6.0 V
160
80
120
60
80
40
V
G
= 6.0 V
40
20
0
0
1
2
3
4
0
0
1
2
3
4
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
16
2.4
I
D
=30A
T
C
=25 C
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
o
2.0
I
D
=60A
V
G
=10V
归一化
DS （ ON）
4
5
6
7
8
9
10
12
1.6
1.2
8
0.8
4
0.4
-50
0
50
100
150
200
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.4
60
50
1.2
40
归V
GS （ TH）
(V)
1.2
1.4
T
j
=175
o
C
T
j
=25
o
C
I
S
(A)
1
30
0.8
20
0.6
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.4
-50
0
50
100
150
200
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4
AP95T08GP
f=1.0MHz
14
10000
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
= 40 A
12
10
V
DS
= 40 V
V
DS
= 50 V
V
DS
= 64 V
C（ pF）的
1000
C
国际空间站
8
C
OSS
6
4
C
RSS
2
0
0
20
40
60
80
100
120
100
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
100
100us
0.2
I
D
(A)
0.1
1ms
10
0.1
0.05
10ms
0.02
0.01
P
DM
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
T
c
=25
o
C
单脉冲
1
0.1
1
10
100ms
DC
单脉冲
0.01
100
1000
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
10V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4/4
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