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AP09N70I-H-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
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100％的雪崩测试
▼
快速开关特性
▼
简单的驱动要求
▼
符合RoHS &无卤
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
700V
0.85Ω
8.3A
G
S
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
G
D
S
在TO- 220CFM隔离封装，广泛首选的所有
商业，工业通孔应用。
TO-220CFM(I)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
P
D
@T
A
=25℃
E
AS
I
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
总功耗
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流
存储温度范围
工作结温范围
等级
700
+30
8.3
5.2
40
42
0.34
1.92
32
8
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
W
mJ
A
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻，结案件
最大热阻，结到环境
价值
3
65
单位
℃/W
℃/W
1
201006082
数据&规格如有变更，恕不另行通知
